Manual do usuário Cypress CY62147DV30

Manual para o dispositivo Cypress CY62147DV30

Dispositivo: Cypress CY62147DV30
Categoria: Hardware
Fabricante: Cypress
Tamanho: 0.62 MB
Data de adição: 4/6/2014
Número de páginas: 12
Imprimir o manual

Baixar

Como usar?

Nosso objetivo é fornecer-lhe o mais rapidamente possível o acesso ao conteúdo contido no manual de instruções para Cypress CY62147DV30. Usando a pré-visualização online, você pode visualizar rapidamente o índice e ir para a página onde você vai encontrar a solução para seu problema com Cypress CY62147DV30.

Para sua conveniência

Se a consulta dos manuais Cypress CY62147DV30 diretamente no site não for conveniente para você, você tem duas soluções possíveis:

  • Visualização em tela cheia - Para visualizar facilmente o manual do usuário (sem baixá-lo para seu computador), você pode usar o modo de tela cheia. Para começar a visualização do manual Cypress CY62147DV30 no modo de tela cheia, use o botão Tela cheia.
  • Download para seu computador - você também pode baixar o manual Cypress CY62147DV30 em seu computador e mantê-lo em suas coleções. No entanto, se você não quer perder espaço no seu dispositivo, você sempre pode baixá-lo no futuro a partir de ManualsBase.
Cypress CY62147DV30 Manual de instruções - Online PDF
Advertisement
« Page 1 of 12 »
Advertisement
Versão para impressão

Muitas pessoas preferem ler os documentos não na tela, mas na versão impressa. A opção de imprimir o manual também foi fornecida, você pode usá-la clicando na hiperligação acima - Imprimir o manual. Você não precisa imprimir o manual inteiro Cypress CY62147DV30, apenas as páginas selecionadas. Respeite o papel.

Resumos

Abaixo você encontrará previews do conteúdo contido nas páginas subseqüentes do manual para Cypress CY62147DV30. Se você deseja visualizar rapidamente o conteúdo das páginas subseqüentes, você pode usá-los.

Resumos do conteúdo
Resumo do conteúdo contido na página número 1


CY62147DV30
4-Mbit (256K x 16) Static RAM
vanced circuit design to provide ultra-low active current. This
Features
®
is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL ) in portable
• Temperature Ranges applications such as cellular telephones. The device also has
an automatic power-down feature that significantly reduces
— Industrial: –40°C to +85°C
power consumption. The device can also be put into standby
— Automotive-A: –40°C to +85°C
mode reducing power consumption by more than 99% when
dese

Resumo do conteúdo contido na página número 2

CY62147DV30 [2, 3, 4] Pin Configuration VFBGA (Top View) 44 TSOP II (Top View) 1 2 3 4 5 6 44 A 1 A 4 5 A OE A A NC A 2 43 A BLE 0 1 2 A 3 6 3 42 A A 2 7 4 41 A OE 1 A A I/O BHE CE I/O B 4 8 3 0 40 5 A BHE 0 39 6 CE BLE 38 I/O I/O A A C 7 I/O I/O I/O I/O 0 15 5 9 10 6 1 2 37 I/O 8 I/O 1 14 36 I/O 9 I/O 2 13 Vcc V A I/O A I/O SS 7 D 35 11 17 3 I/O 10 I/O 3 12 34 11 V V CC SS 33 Vss V 12 V V DNU A SS CC I/O I/O E CC 16 12 4 I/O 13 32 I/O 4 11 31 I/O I/O 5 14 10 F A A I/O I/O I/O I/O I/O 30 15

Resumo do conteúdo contido na página número 3

CY62147DV30 Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA Maximum Ratings Static Discharge Voltage........................................... >2001V (Above which the useful life may be impaired. For user guide- (per MIL-STD-883, Method 3015) lines, not tested.) Latch-up Current...................................................... >200 mA Storage Temperature .................................–65°C to +150°C Operating Range Ambient Temperature with Power Applied...........

Resumo do conteúdo contido na página número 4

CY62147DV30 [10] Capacitance (for all packages) Parameter Description Test Conditions Max. Unit C Input Capacitance T = 25°C, f = 1 MHz, 10 pF IN A V = V CC CC(typ) C Output Capacitance 10 pF OUT [10] Thermal Resistance Parameter Description Test Conditions VFBGA TSOP II Unit Θ Thermal Resistance Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch, four-layer 72 75.13 °C/W JA (Junction to Ambient) printed circuit board Θ Thermal Resistance 8.86 8.95 °C/W JC (Junction to Case) [10] AC Test Loads and Waveform

Resumo do conteúdo contido na página número 5

CY62147DV30 [14] Switching Characteristics Over the Operating Range [11] 45 ns 55 ns 70 ns Parameter Description Min. Max. Min. Max. Min. Max. Unit Read Cycle t Read Cycle Time 45 55 70 ns RC t Address to Data Valid 45 55 70 ns AA t Data Hold from Address Change 10 10 10 ns OHA t CE LOW to Data Valid 45 55 70 ns ACE t OE LOW to Data Valid 25 25 35 ns DOE [15] t OE LOW to LOW Z 5 5 5 ns LZOE [15, 16] t OE HIGH to High Z 15 20 25 ns HZOE [15] t CE LOW to Low Z 10 10 10 ns LZCE [15, 16] t CE HIG

Resumo do conteúdo contido na página número 6

CY62147DV30 Switching Waveforms [18, 19] Read Cycle 1 (Address Transition Controlled) t RC ADDRESS t AA t OHA DATA OUT PREVIOUS DATA VALID DATA VALID [19, 20] Read Cycle No. 2 (OE Controlled) ADDRESS t RC CE t PD t t HZCE ACE OE t HZOE t DOE BHE/BLE t LZOE t HZBE t DBE t LZBE HIGH IMPEDANCE HIGH IMPEDANCE DATA OUT DATA VALID t LZCE t PU V I CC CC SUPPLY 50% 50% CURRENT I SB Notes: 18. The device is continuously selected. OE, CE = V , BHE and/or BLE = V . IL IL 19. WE is HIGH for read cycle.

Resumo do conteúdo contido na página número 7

CY62147DV30 Switching Waveforms (continued) [17, 21, 22] Write Cycle No. 1 (WE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE t BW BHE/BLE OE t SD t HD DATA I/O NOTE23 DATA IN t HZOE [17, 21, 22] Write Cycle No. 2 (CE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t SA t t AW HA t PWE WE t BW BHE/BLE OE t SD t HD DATA I/O DATA IN NOTE 23 t HZOE Notes: 21. Data I/O is high impedance if OE = V . IH 22. If CE goes HIGH simultaneously with WE = V , the output remains in a high-impedance state. IH

Resumo do conteúdo contido na página número 8

CY62147DV30 Switching Waveforms (continued) [22] Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE t BW BHE/BLE t t AW HA t t SA PWE WE t HD t SD NOTE 23 DATAI/O DATA IN t HZWE t LZWE [22] Write Cycle No. 4 (BHE/BLE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS CE t SCE t t AW HA t BW BHE/BLE t SA t PWE WE t HZWE t t HD SD DATA I/O DATA NOTE 23 IN t LZWE Document #: 38-05340 Rev. *F Page 8 of 12 [+] Feedback

Resumo do conteúdo contido na página número 9

CY62147DV30 Truth Table CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X High Z Deselect/Power-Down Standby (I ) SB X X X H H High Z Deselect/Power-Down Standby (I ) SB L H L L L Data Out (I/O –I/O ) Read Active (I ) O 15 CC L H L H L Data Out (I/O –I/O ); Read Active (I ) O 7 CC I/O –I/O in High Z 8 15 L H L L H Data Out (I/O –I/O ); Read Active (I ) 8 15 CC I/O –I/O in High Z 0 7 L H H L L High Z Output Disabled Active (I ) CC L H H H L High Z Output Disabled Active (I ) CC L H H L H

Resumo do conteúdo contido na página número 10

CY62147DV30 Package Diagram 48-ball VFBGA (6 x 8 x 1 mm) (51-85150) BOTTOM VIEW TOP VIEW A1 CORNER Ø0.05 M C Ø0.25 M C A B A1 CORNER Ø0.30±0.05(48X) 1 2346 5 65 4 3 2 1 A A B B C C D D E E F F G G H H 1.875 A A B 0.75 6.00±0.10 3.75 B 6.00±0.10 0.15(4X) 51-85150-*D SEATING PLANE C Document #: 38-05340 Rev. *F Page 10 of 12 [+] Feedback 0.25 C 8.00±0.10 0.26 MAX. 0.55 MAX. 0.21±0.05 1.00 MAX 0.10 C 8.00±0.10 5.25 0.75 2.625

Resumo do conteúdo contido na página número 11

CY62147DV30 Package Diagram (continued) 44-Pin TSOP II (51-85087) 51-85087-*A MoBL is a registered trademark, and More Battery Life is a trademark, of Cypress Semiconductor Corporation. All product and company names mentioned in this document may be the trademarks of their respective holders. Document #: 38-05340 Rev. *F Page 11 of 12 © Cypress Semiconductor Corporation, 2006. The information contained herein is subject to change without notice. Cypress Semiconductor Corporation assumes no re

Resumo do conteúdo contido na página número 12

CY62147DV30 Document History Page ® Document Title:CY62147DV30 MoBL 4-Mbit (256K x 16) Static RAM Document Number: 38-05340 Orig. of REV. ECN NO. Issue Date Change Description of Change ** 127481 06/17/03 HRT New Data Sheet *A 131010 01/23/04 CBD Changed from Advance to Preliminary *B 213252 See ECN AJU Changed from Preliminary to Final Added 70 ns speed bin Modified footnote 7 to include ramp time and wait time Modified input and output capacitance values to 10 pF Modified Thermal Resistance


Manuais similares
# Manual do usuário Categoria Baixar
1 Cypress CapSense CY8C20x36 Manual de instruções Hardware 0
2 Cypress CY14B101L Manual de instruções Hardware 0
3 Cypress CY14B101LA Manual de instruções Hardware 0
4 Cypress CY14B104N Manual de instruções Hardware 0
5 Cypress AutoStore STK14CA8 Manual de instruções Hardware 0
6 Cypress CY14B101Q2 Manual de instruções Hardware 0
7 Cypress CY14B104L Manual de instruções Hardware 0
8 Cypress CY2048WAF Manual de instruções Hardware 0
9 Cypress CY14B108L Manual de instruções Hardware 0
10 Cypress 7C185-15 Manual de instruções Hardware 0
11 Cypress CY14B104NA Manual de instruções Hardware 0
12 Cypress CY14B104M Manual de instruções Hardware 0
13 Cypress AutoStore STK17TA8 Manual de instruções Hardware 0
14 Cypress CY62158E Manual de instruções Hardware 0
15 Cypress CY14B256L Manual de instruções Hardware 0
16 Sony MSAKIT-PC4A Manual de instruções Hardware 2
17 Sony MRW62E-S1 2694866142 Manual de instruções Hardware 5
18 Philips MATCH LINE 9596 Manual de instruções Hardware 17
19 Sony 64GB SDHC Class 10 Memory Card Readers SF32UY Manual de instruções Hardware 1
20 Philips PSC702 Manual de instruções Hardware 1