Manual do usuário Renesas HD74HC1G66

Manual para o dispositivo Renesas HD74HC1G66

Dispositivo: Renesas HD74HC1G66
Categoria: Comutador
Fabricante: Renesas
Tamanho: 0.1 MB
Data de adição: 12/14/2013
Número de páginas: 9
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Renesas HD74HC1G66 Manual de instruções - Online PDF
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Resumos

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Resumos do conteúdo
Resumo do conteúdo contido na página número 1

HD74HC1G66
Analog Switch
REJ03D0188–0800Z
(Previous ADE-205-314F (Z))
Rev.8.00
Jan.27.2004
Description
The HD74HC1G66 is high-speed CMOS analog switch using silicon gate CMOS process. With CMOS
low power dissipation, it provides high speed. The device has low ON resistance for good transfer
characteristics and can take wide range of input voltage.
Features
• The basic gate function is lined up as Renesas uni logic series.
• Supplied on emboss taping for high-speed automatic mounting.
• Electri

Resumo do conteúdo contido na página número 2

HD74HC1G66 Outline and Article Indication • HD74HC1G66 Index band Marking H 9 = Control code CMPAK-5 Function Table Control Switch LOFF HON H : High level L : Low level GND ≤ V ≤ V IN CC GND ≤ V ≤ V OUT CC Pin Arrangement IN/OUT 1 5 V CC 2 OUT/IN 3 4 Control GND (Top view) Rev.8.00, Jan.27.2004, page 2 of 8

Resumo do conteúdo contido na página número 3

HD74HC1G66 Absolute Maximum Ratings Item Symbol Ratings Unit Test Conditions Supply voltage range V –0.5 to 7.0 V CC 1 Input voltage range * V –0.5 to V + 0.5 V I CC 1, 2 Output voltage range * V –0.5 to V + 0.5 V Output : H or L O CC Input clamp current I ±20 mA V < 0 or V > V IK I I CC Output clamp current I ±20 mA V < 0 or V >V OK O O CC Continuous output current I ±25 mA V = 0 to V O O CC Continuous current through I or I ±25 mA CC GND V or GND CC Maximum power dissipation P 200 mW T 3 at Ta

Resumo do conteúdo contido na página número 4

HD74HC1G66 Electrical Characteristics V Ta = 25°C Ta = –40 to 85°C CC Item Symbo (V) Unit Test Conditions Min Typ Max Min Max Input voltage V 2.0 1.5 — — 1.5 — V Control input only IH 4.5 3.15 — — 3.15 — 6.0 4.2 — — 4.2 — V 2.0 — — 0.5 — 0.5 IL 4.5 — — 1.35 — 1.35 6.0 — — 1.8 — 1.8 On resistance R 2.0 — 200 450 — 550 Ω V = V ON C IH V = V or GND IN CC 4.5 — 90 160 — 180 I = 1 mA T 6.0 — 80 130 — 140 Peak on R (p) 2.0 — 600 1500 — 2000 Ω V = V ON C IH resistance V = 0 to V IN CC 4.5 — 125 200 — 2

Resumo do conteúdo contido na página número 5

HD74HC1G66 Switching Characteristics V Ta = 25°C Ta = –40 to 85°C CC Item Symbol (V) Unit Test Conditions Min Typ Max Min Max Propagation delay time t , 2.0 — — 50 — 65 ns R = 10 kΩ PLH L t PHL 4.5 — 4 10 — 13 6.0 — — 9 — 11 Output enable time t , t 2.0 — — 115 — 145 ns R = 1 kΩ ZH ZL L 4.5 — 10 23 — 29 6.0 — — 20 — 25 Output disable time t , t 2.0 — — 115 — 145 ns R = 1 kΩ HZ LZ L 4.5 — 14 23 — 29 6.0 — — 20 — 25 Maximum control 2.0 — 20 — — — MHz frequency 4.5 — 30 — — — 6.0 — 30 — — — Control

Resumo do conteúdo contido na página número 6

HD74HC1G66 Test Circuit • R ON V CC V = V C IH V CC V IN-OUT V = V (ON) IN CC V R = (Ω) OUT ON –3 10 GND 1.0 mA +– V V IN-OUT • I (off), I (on) S S V V CC CC V = V V = V C IL C IL V V CC CC A (OFF) A (ON) V = GND V V = V V = V OUT OUT IN CC IN CC GND GND or V OPEN or GND or GND CC • t , t PLH PHL V CC t = 6 ns t = 6 ns V = V r f C IH V CC 90% 90% V IN V 50% 50% CC 10% 10% t PLH GND V (ON) V IN OUT t PHL V R = C = OH GND L L V OUT 10 kΩ 50 pF 50% 50% V OL Rev.8.00, Jan.27.2004, page 6 of 8

Resumo do conteúdo contido na página número 7

HD74HC1G66 • t , t / t , t ZH ZL HZ LZ V CC t = 6 ns t = 6 ns V r f C R = L V CC 1 kΩ 90% 90% V C V 50% 50% CC V V IN OUT 10% 10% GND S1 S2 t t ZH HZ C = GND L R = L 50 pF V OH 90% 1 kΩ 50% Waveform - A GND V Item S1 S2 OUT t t ZL LZ V CC t V GND ZH CC Waveform - B 50% t V GND ZL CC 10% V OL t V GND HZ CC t V GND LZ CC Notes: 1. Waveform - A is for an output with internal conditions such that the output is high except when disabled by the output control. 2. Wavef

Resumo do conteúdo contido na página número 8

HD74HC1G66 Package Dimensions Unit: mm 1.3 ± 0.2 + 0.1 (0.65) (0.65) 0.15 – 0.05 0 – 0.1 5 – 0.2 ± 0.05 2.0 ± 0.2 Package Code CMPAK–5V JEDEC — JEITA Conforms Mass (reference value) 0.006 g Rev.8.00, Jan.27.2004, page 8 of 8 (0.2) 0.9 ± 0.1 (0.425) 1.25 ± 0.1 (0.425) 2.1 ± 0.3

Resumo do conteúdo contido na página número 9

Sales Strategic Planning Div. Nippon Bldg., 2-6-2, Ohte-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0004, Japan Keep safety first in your circuit designs! 1. Renesas Technology Corp. puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble may occur with them. Trouble with semiconductors may lead to personal injury, fire or property damage. Remember to give due consideration to safety when making your circuit designs, with appr


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