Manual do usuário NXP Semiconductors TDA8560Q

Manual para o dispositivo NXP Semiconductors TDA8560Q

Dispositivo: NXP Semiconductors TDA8560Q
Categoria: Amplificador de carro
Fabricante: NXP Semiconductors
Tamanho: 0.09 MB
Data de adição: 8/15/2013
Número de páginas: 16
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NXP Semiconductors TDA8560Q Manual de instruções - Online PDF
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Resumos do conteúdo
Resumo do conteúdo contido na página número 1

INTEGRATED CIRCUITS
DATA SHEET
TDA8560Q
2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio
power amplifier with diagnostic
facility
1996 Jan 08
Product specification
Supersedes data of March 1994
File under Integrated Circuits, IC01

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility FEATURES • Thermally protected • Reverse polarity safe • Requires very few external components • Electrostatic discharge protection • High output power • No switch-on/switch-off plop • 4 Ω and 2 Ω load impedance • Flexible leads • Low output offset voltage • Low thermal resistance. • Fixed gain • Diagnostic facility (distortion, short-circuit and temperature detection) G

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility BLOCK DIAGRAM V V P1 P2 3 10 1 mute switch C input 1 m TDA8560Q 4 VA output 1A 365 Ω PROTECTIONS 18 kΩ Load dump power stage Soar Thermal Short - circuit mute switch C Reverse polarity m 6 VA output 1B 30 kΩ 365 Ω 18 kΩ power stage V P 11 mode switch stand-by switch stand-by reference voltage VA 15 kΩ x1 mute 12 diagnostic DIAGNOSTIC switch output INTERFACE 15 kΩ mute re

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility PINNING FUNCTIONAL DESCRIPTION The TDA8560Q contains two identical amplifiers and can SYMBOL PIN DESCRIPTION be used for bridge applications. The gain of each amplifier IN 1 1 input 1 is fixed at 40 dB. Special features of the device are as GND(S) 2 signal ground follows. V 3 supply voltage 1 P1 Mode select switch (pin 11) OUT 1A 4 output 1A GND1 5 power ground 1 • Stand

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility SHORT-CIRCUIT PROTECTION During this short-circuit condition, pin 12 is low for 20 ms and high for 50 μs (see Fig.4). When a short-circuit occurs at one or more outputs to The power dissipation in any short-circuit condition is ground or to the supply voltage, the output stages are switched off until the short-circuit is removed and the very low. device is switched on ag

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT V supply voltage P operating - 18 V non-operating - 30 V load dump protection during 50 ms; t ≥ 2.5 ms - 45 V r V AC and DC short-circuit safe voltage - 18 V psc V reverse polarity - 6V pr I non-repetitive peak output current - 10 A OSM I repetitive

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility DC CHARACTERISTICS V = 14.4 V; T =25 °C; measured in Fig.6; unless otherwise specified. P amb SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT Supply V supply voltage note 1 6.0 14.4 18 V P I quiescent current R =∞- 115 180 mA q L Operating condition V mode switch voltage level 8.5 - V V 11 P I mode switch current V = 14.4 V - 15 40 μA 11 11 V DC output voltage note 2 - 7.

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility AC CHARACTERISTICS V = 14.4 V; R =2 Ω; f = 1 kHz; T =25 °C; measured in Fig.6; unless otherwise specified. P L amb SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT P output power THD = 0.5% 25 30 - W o THD = 10% 33 40 - W THD = 30% 45 55 - W P output power V = 13.2 V o P THD = 0.5% - 25 - W THD = 10% - 35 - W THD total harmonic distortion P =1W - 0.1 - % o V ≤ 0.6 V; note

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility AC CHARACTERISTICS V = 14.4 V; R =4 Ω; f = 1 kHz; T =25 °C; measured in Fig.6; unless otherwise specified. P L amb SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT P output power THD = 0.5% 16 19 - W o THD = 10% 21 25 - W THD = 30% 28 35 - W P output power V = 13.2 V o P THD = 0.5% - 15 - W THD = 10% - 21 - W THD total harmonic distortion P =1W - 0.1 - % o 1996 Jan 08 9

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility QUALITY SPECIFICATION Quality in accordance with “Quality reference handbook SNW-FQ-611E”, if this type used as an audio amplifier. This handbook can be ordered using the code 9397 750 00192. TEST AND APPLICATION INFORMATION mode switch V P 14.4 V 2200 100 μF nF 11 3 10 470 nF 1 input 1 4 R 30 L kΩ 6 V P 2 ground (signal) TDA8560Q (1) 10 kΩ 12 diagnostic output referenc

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility Diagnostic output Special care must be taken in the printed-circuit board layout to separate pin 12 from pin 1 and pin 13, to minimize the crosstalk between the diagnostic output and the inputs. V P handbook, halfpage Mode select switch 10 kΩ 10 kΩ To avoid switch-on plops, it is advised to keep the amplifier in the mute mode during >100 ms (charging of the input capacit

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility MGA905 70 handbook, full pagewidth P o (W) 60 50 (1) 40 (2) 30 (3) 20 10 0 810 12 14 16 V (V) 18 P (1) THD = 30%. (2) THD = 10%. (3) THD = 0.5%. Fig.9 Output power as a function of supply voltage; f = 1 kHz; R =2 Ω. L MGA906 33 P o (W) 31 29 27 25 23 2 3 4 5 10 10 10 10 f (Hz) 10 Fig.10 Output power as a function of frequency; THD = 0.5%; V = 14.4 V; R =2 Ω. P L 19

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility MGA907 1 THD (%) (1) 1 10 (2) (3) 2 10 2 3 4 5 10 10 10 10 f (Hz) 10 (1) P = 0.1 W. o (2) P =1W. o (3) P =10W. o Fig.11 Total harmonic distortion as a function of frequency; V = 14.4 V; R =2 Ω. P L MGA908 30 SVRR (dB) 40 (1) 50 (2) 60 70 80 2 3 4 5 10 10 10 10 f (Hz) 10 (1) On condition. (2) Mute condition. Fig.12 Ripple rejection as a function of frequency; V = 14

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility MGA910 30 α cs (dB) 40 50 60 70 80 2 3 4 5 10 10 10 10 f (Hz) 10 Fig.13 Channel separation as a function of frequency; V = 14.4 V; P = 25 W; R =2 Ω; R =10kΩ. P o L s MGA909 150 handbook, full pagewidth I q (mA) 130 110 90 70 50 8 1012 1416 18 V (V) P Fig.14 Quiescent current as a function of supply voltage; R = ∞. L 1996 Jan 08 14

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility PACKAGE OUTLINE DBS13P: plastic DIL-bent-SIL power package; 13 leads (lead length 12 mm) SOT141-6 non-concave D h x D E h view B: mounting base side d A 2 B j E A L 3 L Q c 113 e e m v M 1 w M Z 2 b p e 0 5 10 mm scale DIMENSIONS (mm are the original dimensions) (1) (1) (1) UNIT A A b cDdeD E e e E j LL m Q v w x Z 2 p h 1 2 h 3 17.0 4.6 0.75 0.48 24.0 20.0 12.2 3.4 12.4

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Philips Semiconductors Product specification 2 × 40 W/2 Ω stereo BTL car radio TDA8560Q power amplifier with diagnostic facility SOLDERING The device may be mounted up to the seating plane, but the temperature of the plastic body must not exceed the Introduction specified maximum storage temperature (T ). If the stg max printed-circuit board has been pre-heated, forced cooling There is no soldering method that is ideal for all IC may be necessary immediately after soldering to keep the packages. W


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