Instruction d'utilisation Cypress Perform CY62138CV25

Instruction d'utilisation pour le dispositif Cypress Perform CY62138CV25

Dispositif: Cypress Perform CY62138CV25
Catégorie: Equipement informatique
Fabricant: Cypress
Dimension: 1.03 MB
Date d'addition: 10/17/2014
Nombre des pages: 13
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Résumés

Vous trouverez ci-dessous les annonces des contenus qui se trouvent sur les pages suivantes de l'instruction de Cypress Perform CY62138CV25. Si vous voulez parcourir rapidement le contenu des pages suivantes de l'instruction, vous pouvez en profiter.

Résumés du contenu
Résumé du contenu de la page N° 1

®
CY62138FV30 MoBL
2-Mbit (256K x 8) Static RAM
[1]
Features Functional Description
• Very high speed: 45 ns The CY62138FV30 is a high performance CMOS static RAM
organized as 256K words by 8 bits. This device features
• Wide voltage range: 2.20V–3.60V
advanced circuit design to provide ultra low active current.
• Pin compatible with CY62138CV25/30/33 ®
This is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL ) in
• Ultra low standby power
portable applications such as cellular telephones. The devi

Résumé du contenu de la page N° 2

® CY62138FV30 MoBL [2] Pin Configuration 36-Ball VFBGA Top View 32-Pin SOIC/TSOP II Top View A A A A A CE 3 6 8 A V 0 1 2 A 1 CC 17 32 A A 16 2 31 15 A CE 14 3 30 2 A IO WE A IO B A 4 4 7 0 2 A 12 4 29 WE A 7 5 A 28 13 A A NC A C 6 IO IO 6 27 8 5 5 1 A A 5 7 26 9 A A 4 8 25 11 V V A SS CC D 3 9 24 OE A 2 10 A 23 10 A 1 11 22 CE V 1 V SS E CC A 0 12 21 IO 7 IO 0 13 20 IO 6 IO 1 14 IO 19 NC F 5 IO A IO 17 6 2 IO 2 15 18 IO 4 V 16 17 IO SS 3 CE A IO G OE 1 A IO 16 7 15 3 A A A A A A 10 11 12 13 H

Résumé du contenu de la page N° 3

® CY62138FV30 MoBL [4, 5] DC Input Voltage .......................................–0.3V to 3.9V Maximum Ratings Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the Static Discharge Voltage.......................................... > 2001V device. These user guidelines are not tested. (MIL-STD-883, Method 3015) Storage Temperature ..................................–65°C to +150°C Latch-up Current ........................

Résumé du contenu de la page N° 4

® CY62138FV30 MoBL [8] Thermal Resistance Parameter Description Test Conditions SOIC VFBGA TSOP II STSOP TSOP I Unit Θ Thermal Resistance Still air, soldered on a 3 x 4.5 44.53 38.49 44.16 59.72 50.19 °C/W JA (Junction to Ambient) inch, two layer printed circuit board Θ Thermal Resistance 24.05 17.66 11.97 15.38 14.59 °C/W JC (Junction to Case) AC Test Loads and Waveforms R1 ALL INPUT PULSES V CC OUTPUT V CC 90% 90% 10% 10% R2 GND 30 pF Rise Time = 1 V/ns Fall Time = 1 V/ns INCLUDING JIG AND E

Résumé du contenu de la page N° 5

® CY62138FV30 MoBL [11] Switching Characteristics (Over the Operating Range) 45 ns Parameter Description Unit Min Max Read Cycle t Read Cycle Time 45 ns RC t Address to Data Valid 45 ns AA t Data Hold from Address Change 10 ns OHA t CE LOW and CE HIGH to Data Valid 45 ns ACE 1 2 t OE LOW to Data Valid 22 ns DOE [12] t OE LOW to Low-Z 5ns LZOE [12,13] t OE HIGH to High-Z 18 ns HZOE [12] t CE LOW and CE HIGH to Low Z 10 ns LZCE 1 2 [12, 13] t CE HIGH or CE LOW to High-Z 18 ns HZCE 1 2 t CE LOW

Résumé du contenu de la page N° 6

® CY62138FV30 MoBL Switching Waveforms [15, 16] Read Cycle 1 (Address transition controlled) tRC RC ADDRESS t AA t OHA DATA OUT PREVIOUS DATA VALID DATA VALID [10, 16, 17] Read Cycle No. 2 (OE controlled) ADDRESS t RC CE t ACE OE t HZOE t DOE t HZCE t LZOE HIGH IMPEDANCE HIGH IMPEDANCE DATA VALID DATA OUT t LZCE t PD I t V CC PU CC SUPPLY 50% 50% CURRENT I SB [10, 14, 18, 19] Write Cycle No. 1 (WE controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE OE t SD t HD DATA IO NOTE 20 DATA VAL

Résumé du contenu de la page N° 7

® CY62138FV30 MoBL Switching Waveforms (continued) [10, 14, 18, 19] Write Cycle No. 2 (CE1 or CE2 controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t SA t t AW HA t PWE WE t t SD HD DATA IO DATA VALID [10, 19] Write Cycle No. 3 (WE controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE t t SD HD NOTE 20 DATA VALID DATA IO t t LZWE HZWE Truth Table CE CE WE OE Inputs/Outputs Mode Power 1 2 H X X X High-Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB X L X X High-Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB L H H L D

Résumé du contenu de la page N° 8

® CY62138FV30 MoBL Ordering Information Speed Package Operating Ordering Code Package Type (ns) Diagram Range 45 CY62138FV30LL-45BVXI 51-85149 36-ball VFBGA (Pb-free) Industrial CY62138FV30LL-45ZSXI 51-85095 32-pin TSOP II (Pb-free) CY62138FV30LL-45ZAXI 51-85094 32-pin STSOP (Pb-free) CY62138FV30LL-45ZXI 51-85056 32-pin TSOP I (Pb-free) CY62138FV30LL-45SXI 51-85081 32-pin SOIC (Pb-free) Package Diagrams Figure 1. 36-ball VFBGA (6 x 8 x 1 mm), 51-85149 BOTTOM VIEW TOP VIEW A1 CORNER Ø0.05 M C Ø0.

Résumé du contenu de la page N° 9

® CY62138FV30 MoBL Package Diagrams (continued) Figure 2. 32-pin TSOP II, 51-85095 51-85095-** Document #: 001-08029 Rev. *E Page 9 of 13 [+] Feedback

Résumé du contenu de la page N° 10

® CY62138FV30 MoBL Package Diagrams (continued) Figure 3. 32-pin (450 Mil) Molded SOIC, 51-85081 16 1 0.546[13.868] 0.566[14.376] 0.440[11.176] 0.450[11.430] 17 32 0.793[20.142] 0.006[0.152] 0.817[20.751] 0.012[0.304] 0.101[2.565] 0.118[2.997] 0.111[2.819] MAX. 0.004[0.102] 0.047[1.193] 0.004[0.102] 0.063[1.600] 0.050[1.270] MIN. 0.023[0.584] BSC. 0.039[0.990] 0.014[0.355] 0.020[0.508] SEATING PLANE 51-85081-*B Document #: 001-08029 Rev. *E Page 10 of 13 [+] Feedback

Résumé du contenu de la page N° 11

® CY62138FV30 MoBL Package Diagrams (continued) Figure 4. 32-pin TSOP I (8 x 20 mm), 51-85056 51-85056-*D Document #: 001-08029 Rev. *E Page 11 of 13 [+] Feedback

Résumé du contenu de la page N° 12

® CY62138FV30 MoBL Package Diagrams (continued) Figure 5. 32-pin STSOP (8 x 13.4 mm), 51-85094 51-85094-*D MoBL is a registered trademark, and More Battery Life is a trademark of Cypress Semiconductor. All product and company names mentioned in this document may be the trademarks of their respective holders. Document #: 001-08029 Rev. *E Page 12 of 13 © Cypress Semiconductor Corporation, 2007. The information contained herein is subject to change without notice. Cypress Semiconductor Corporation

Résumé du contenu de la page N° 13

® CY62138FV30 MoBL Document History Page ® Document Title: CY62138FV30 MoBL , 2-Mbit (256K x 8) Static RAM Document Number: 001-08029 Issue Orig. of REV. ECN NO. Description of Change Date Change ** 463660 See ECN NXR New data sheet *A 467351 See ECN NXR Added 32-pin TSOP II package, 32 pin TSOP I and 32 pin STSOP packages Changed ball A3 from NC to CE in 36-ball FBGA pin out 2 *B 566724 See ECN NXR Converted from Preliminary to Final Corrected typo in 32 pin TSOP II pin configuration diagram


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