Instruction d'utilisation Cypress CY7C139

Instruction d'utilisation pour le dispositif Cypress CY7C139

Dispositif: Cypress CY7C139
Catégorie: Equipement informatique
Fabricant: Cypress
Dimension: 0.56 MB
Date d'addition: 4/30/2014
Nombre des pages: 17
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Résumés

Vous trouverez ci-dessous les annonces des contenus qui se trouvent sur les pages suivantes de l'instruction de Cypress CY7C139. Si vous voulez parcourir rapidement le contenu des pages suivantes de l'instruction, vous pouvez en profiter.

Résumés du contenu
Résumé du contenu de la page N° 1


CY7C138, CY7C139
4K x 8/9 Dual-Port Static RAM
with Sem, Int, Busy
Features Functional Description
■ True Dual-Ported memory cells that enable simultaneous reads The CY7C138 and CY7C139 are high speed CMOS 4K x 8 and
of the same memory location 4K x 9 dual-port static RAMs. Various arbitration schemes are
included on the CY7C138/9 to handle situations when multiple
■ 4K x 8 organization (CY7C138)
processors access the same piece of data. Two ports are
provided permitting independent, asynchron

Résumé du contenu de la page N° 2

CY7C138, CY7C139 Pin Configurations Figure 1. 68-Pin PLCC (Top View) \ 98 7 6 5 4 3 2 1 68 6766 65 646362 61 I/O 2L 10 60 A 5L I/O 3L A 11 59 4L I/O 4L A 12 58 3L I/O 5L A 13 57 2L GND A 14 56 1L I/O 6L 15 55 A 0L I/O 7L INT 16 54 L V CC BUSY 17 53 L CY7C138/9 GND 18 52 GND I/O 0R 19 51 M/S I/O BUSY 1R 20 50 R I/O 2R 49 21 INT R V CC A 48 0R 22 I/O 3R A 23 47 1R I/O 4R A 24 46 2R I/O 5R 25 45 A 3R I/O 6R 26 44 A 4R 2728 29 30 3132 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 Table 1. Pin Definitions Lef

Résumé du contenu de la page N° 3

CY7C138, CY7C139 Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA Maximum Ratings Static Discharge Voltage........................................... >2001V Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the (per MIL-STD-883, Method 3015) [5] device. These user guidelines are not tested. Latch-Up Current.................................................... >200 mA Storage Temperature ................................. –65 °C to +150 °C Operating Range Ambient Tempera

Résumé du contenu de la page N° 4

CY7C138, CY7C139 Electrical Characteristics Over the Operating Range (continued) 7C138-35 7C138-55 7C139-35 7C139-55 Parameter Description Test Conditions Unit Min Max Min Max V Output HIGH Voltage V = Min., I = –4.0 mA 2.4 2.4 V OH CC OH V Output LOW Voltage V = Min., I = 4.0 mA 0.4 0.4 V OL CC OL V 2.2 2.2 V IH V Input LOW Voltage 0.8 0.8 V IL I Input Leakage Current GND < V < V –10 +10 –10 +10 μA IX I CC I Output Leakage Current Output Disabled, GND < V < V –10 +10 –10 +10 μA OZ O CC I Oper

Résumé du contenu de la page N° 5

CY7C138, CY7C139 Figure 2. AC Test Loads and Waveforms 5V 5V R1 = 893 Ω R1 = 893 Ω R = 250 Ω TH OUTPUT OUTPUT OUTPUT C= 30 pF C = 30pF C= 5pF R2 = 347 Ω R2 = 347 Ω V = 1.4V TH (a) Normal Load (Load 1) (b) Thé venin Equivalent (Load 1) (c) Three-State Delay (Load 3) ALL INPUT PULSES OUTPUT 3.0V 90% 90% C= 30pF 10% 10% GND < 3 ns < 3ns Load (Load 2) [9] Switching Characteristics Over the Operating Range 7C138-15 7C138-25 7C138-35 7C138-55 7C139-15 7C139-25 7C139-35 7C139-55 Parameter Descriptio

Résumé du contenu de la page N° 6

CY7C138, CY7C139 [9] Switching Characteristics Over the Operating Range (continued) 7C138-15 7C138-25 7C138-35 7C138-55 7C139-15 7C139-25 7C139-35 7C139-55 Parameter Description Unit Min Max Min Max Min Max Min Max t Data Hold From Write End 0 0 0 0 ns HD [11,12] t R/W LOW to High Z 10 15 20 25 ns HZWE [11,12] t R/W HIGH to Low Z 3 3 3 3 ns LZWE [13] t Write Pulse to Data Delay 30 50 60 70 ns WDD [13] t Write Data Valid to Read Data Valid 25 30 35 40 ns DDD [14] BUSY TIMING t BUSY LOW from Add

Résumé du contenu de la page N° 7

CY7C138, CY7C139 Switching Waveforms (continued) SEM or CE t HZCE t ACE OE t HZOE t DOE t LZOE t LZCE DATA VALID DATA OUT t PU t PD I CC I SB [20, 21] Figure 5. Read Timing with Port-to-Port Delay (M/S = L) t WC ADDRESS R MATCH t PWE R/W R t t SD HD DATA VALID INR ADDRESS L MATCH t DDD DATA OUTL VALID t WDD Notes 16. R/W is HIGH for read cycle. 17. Device is continuously selected CE = LOW and OE = LOW. This waveform cannot be used for semaphore reads. 18. Address valid prior to or coincident

Résumé du contenu de la page N° 8

CY7C138, CY7C139 Switching Waveforms (continued) t WC ADDRESS t SCE SEM OR CE t t AW HA t PWE R/W t t t SA SD HD DATA IN DATA VALID OE t t HZOE LZOE HIGH IMPEDANCE DATA OUT [22, 24, 25] Figure 7. Write Cycle No. 2: R/W Three-States Data I/Os (Either Port) t WC ADDRESS t t SCE HA SEM OR CE t AW t SA t PWE R/W t t SD HD DATA VALID DATA IN t t LZWE HZWE HIGH IMPEDANCE DATA OUT Notes 20. BUSY = HIGH for the writing port. 21. CE = CE = LOW. L R 22. The internal write time of the memory is defined

Résumé du contenu de la page N° 9

CY7C138, CY7C139 Switching Waveforms (continued) t t AA OHA A –A VALID ADDRESS VALID ADDRESS 0 2 t AW t ACE t HA SEM t t SCE SOP t SD I/O 0 DATA VALID DATA VALID IN OUT t HD t t SA PWE R/W t t SWRD DOE t OE SOP WRITE CYCLE READ CYCLE [27, 28, 29] Figure 9. Timing Diagram of Semaphore Contention A –A 0L 2L MATCH R/W L SEM L t SPS A –A MATCH 0R 2R R/W R SEM R Notes 25. Data I/O pins enter high impedance when OE is held LOW during write. 26. CE = HIGH for the duration of the above timing (both

Résumé du contenu de la page N° 10

CY7C138, CY7C139 Switching Waveforms (continued) t WC ADDRESS R MATCH t PWE R/W R t t SD HD DATA IN VALID R t PS ADDRESS L MATCH t BLA t BHA BUSY L t BDD t DDD DATA VALID OUTL t WDD Figure 11. Write Timing with Busy Input (M/S=LOW) t PWE R/W t t WB WH BUSY Notes 27. I/O = I/O = LOW (request semaphore); CE = CE = HIGH 0R 0L R L 28. Semaphores are reset (available to both ports) at cycle start. 29. If t is violated, the semaphore will definitely be obtained by one side or the other, but there

Résumé du contenu de la page N° 11

CY7C138, CY7C139 Switching Waveforms (continued) CE Valid First: L ADDRESS L,R ADDRESS MATCH CE L t PS CE R t t BLC BHC BUSY R CE Valid First: R ADDRESS ADDRESS MATCH L,R CE R t PS CE L t t BLC BHC BUSY L [30] Figure 13. Busy Timing Diagram No. 2 (Address Arbitration) Left Address Valid First: t or t RC WC ADDRESS L ADDRESS MATCH ADDRESS MISMATCH t PS ADDRESS R t t BLA BHA BUSY R Right Address Valid First: t or t RC WC ADDRESS R ADDRESS MATCH ADDRESS MISMATCH t PS ADDRESS L t t BLA BHA BUS

Résumé du contenu de la page N° 12

CY7C138, CY7C139 Switching Waveforms (continued) Figure 14. Interrupt Timing Diagrams Left Side Sets INT : R t WC ADDRESS WRITE FFF L t [31] HA CE L R/W L INT R t [32] INS Right Side Clears INT : R t RC ADDRESS READ FFF R CE R [32] t INR R/W R OE R INT R Right Side Sets INT : L t WC ADDRESS R WRITE FFE [31] t HA CE R R/W R INT L [32] t INS Left Side Clears INT : L t RC ADDRESS R READ FFE CE L [32] t INR R/W L OE L INT L Notes 31. t depends on which enable pin (CE or R/W ) is deasserted first

Résumé du contenu de la page N° 13

CY7C138, CY7C139 Master/Slave Architecture A M/S pin is provided in order to expand the word width by config- The CY7C138/9 consists of an array of 4K words of 8/9 bits each uring the device as either a master or a slave. The BUSY output of dual-port RAM cells, I/O and address lines, and control signals of the master is connected to the BUSY input of the slave. This (CE, OE, R/W). These control pins permit independent access enables the device to interface to a master device with no for reads

Résumé du contenu de la page N° 14

CY7C138, CY7C139 Table 3. Non-Contending Read/Write Inputs Outputs Operation CE R/W OE SEM I/O 0-7/8 H X X H High Z Power-Down H H L L Data Out Read Data in Semaphore X X H X High Z I/O Lines Disabled H X L Data In Write to Semaphore L H L H Data Out Read L L X H Data In Write L X X L Illegal Condition Table 4. Interrupt Operation Example (assumes BUSY =BUSY =HIGH) L R Left Port Right Port Function R/W CE OE A INT R/W CE OE A INT 0-11 0-11 Set Left INT X X X X L L L X FFE X Reset Left INT X

Résumé du contenu de la page N° 15

CY7C138, CY7C139 Figure 15. Typical DC and AC Characteristics NORMALIZED SUPPLY CURRENT OUTPUT SOURCE CURRENT NORMALIZED SUPPLY CURRENT vs. AMBIENT TEMPERATURE vs. OUTPUT VOLTAGE vs. SUPPLY VOLTAGE 1.4 1.2 200 I CC 1.2 1.0 I 160 CC 1.0 I 0.8 SB3 I SB3 120 0.8 0.6 V = 5.0V CC V = 5.0V CC 0.6 80 T = 25°C V = 5.0V A IN 0.4 0.4 40 0.2 0.2 0 0.6 0.0 –55 25 125 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 AMBIENT TEMPERATURE (°C) OUTPUT VOLTAGE (V) SUPPLY VOLTAGE (V) NORMALIZED ACCESS TIME OUTPUT

Résumé du contenu de la page N° 16

CY7C138, CY7C139 Ordering Information 4K x8 Dual-Port SRAM Speed Package Operating Ordering Code Package Type (ns) Name Range 15 CY7C138-15JC J81 68-Lead Plastic Leaded Chip Carrier Commercial CY7C138-15JXC J81 68-Lead Pb-Free Plastic Leaded Chip Carrier 25 CY7C138-25JC J81 68-Lead Plastic Leaded Chip Carrier Commercial CY7C138-25JXC J81 68-Lead Pb-Free Plastic Leaded Chip Carrier CY7C138-25JI J81 68-Lead Plastic Leaded Chip Carrier Industrial CY7C138-25JXI J81 68-Lead Pb-Free Plastic Leaded C

Résumé du contenu de la page N° 17

CY7C138, CY7C139 Document History Page Document Title: CY7C138/CY7C139 4K x 8/9 Dual-Port Static RAM with Sem, Int, Busy Document Number: 38-06037 Orig. of Submission Rev. ECN No. Description of Change Change Date ** 110180 SZV 09/29/01 Change from Spec number: 38-00536 to 38-06037 *A 122287 RBI 12/27/02 Power up requirements added to Maximum Ratings Information *B 393403 YIM See ECN Added Pb-Free Logo Added Pb-Free parts to ordering information: CY7C138-15JXC, CY7C138-25JXC, CY7C139-25JXC *C


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