Instruction d'utilisation Cypress CY7C1018DV33

Instruction d'utilisation pour le dispositif Cypress CY7C1018DV33

Dispositif: Cypress CY7C1018DV33
Catégorie: Equipement informatique
Fabricant: Cypress
Dimension: 0.28 MB
Date d'addition: 10/9/2014
Nombre des pages: 9
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Résumés

Vous trouverez ci-dessous les annonces des contenus qui se trouvent sur les pages suivantes de l'instruction de Cypress CY7C1018DV33. Si vous voulez parcourir rapidement le contenu des pages suivantes de l'instruction, vous pouvez en profiter.

Résumés du contenu
Résumé du contenu de la page N° 1

CY7C1018DV33
1-Mbit (128K x 8) Static RAM
[1]
Features Functional Description
• Pin- and function-compatible with CY7C1018CV33 The CY7C1018DV33 is a high-performance CMOS static
RAM organized as 131,072 words by 8 bits. Easy memory
• High speed
expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an
—t = 10 ns
AA
active LOW Output Enable (OE), and tri-state drivers. This
• Low Active Power device has an automatic power-down feature that significantly
reduces power consumption when deselecte

Résumé du contenu de la page N° 2

CY7C1018DV33 Selection Guide –10 (Industrial) Unit Maximum Access Time 10 ns Maximum Operating Current 60 mA Maximum Standby Current 3 mA [2] DC Input Voltage ................................ –0.3V to V + 0.3V Maximum Ratings CC Current into Outputs (LOW)......................................... 20 mA (Above which the useful life may be impaired. For user guide- Static Discharge Voltage........................................... > 2001V lines, not tested.) (per MIL-STD-883, Method 3015) Storage

Résumé du contenu de la page N° 3

CY7C1018DV33 [3] Capacitance Parameter Description Test Conditions Max. Unit C Input Capacitance T = 25°C, f = 1 MHz, V = 3.3V 8 pF IN A CC C Output Capacitance 8 pF OUT [3] Thermal Resistance 400-Mil Parameter Description Test Conditions Unit Wide SOJ Θ Thermal Resistance Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch, 57.61 °C/W JA (Junction to Ambient) four-layer printed circuit board Θ Thermal Resistance 40.53 °C/W JC (Junction to Case) [4] AC Test Loads and Waveforms ALL INPUT PULSES 3.0V Z = 50 Ω

Résumé du contenu de la page N° 4

CY7C1018DV33 [5] AC Switching Characteristics Over the Operating Range –10 (Industrial) Parameter Description Unit Min. Max. Read Cycle [6] t V (typical) to the first access 100 µs power CC t Read Cycle Time 10 ns RC t Address to Data Valid 10 ns AA t Data Hold from Address Change 3 ns OHA t CE LOW to Data Valid 10 ns ACE t OE LOW to Data Valid 5 ns DOE t OE LOW to Low-Z 0 ns LZOE [7, 8] t OE HIGH to High-Z 5ns HZOE [8] t CE LOW to Low-Z 3ns LZCE [7, 8] t CE HIGH to High-Z 5ns HZCE [9] t CE LOW

Résumé du contenu de la page N° 5

CY7C1018DV33 Data Retention Characteristics (Over the Operating Range) Parameter Description Conditions Min. Max. Unit V V for Data Retention 2 V DR CC I Data Retention Current V = V = 2.0V, CE > V – 0.3V, 3mA CCDR CC DR CC V > V – 0.3V or V < 0.3V IN CC IN [3] t Chip Deselect to Data Retention Time 0 ns CDR [12] t Operation Recovery Time t ns R RC Data Retention Waveform DATA RETENTION MODE 3.0V 3.0V V V > 2V CC DR t t CDR R CE Switching Waveforms [13, 14] Read Cycle No. 1 (Address Transition

Résumé du contenu de la page N° 6

CY7C1018DV33 Switching Waveforms (continued) [16, 17] Write Cycle No. 1 (CE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t SA t SCE t t AW HA t PWE WE t t SD HD DATA I/O DATA VALID [16, 17] Write Cycle No. 2 (WE Controlled, OE HIGH During Write) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE OE t SD t HD DATA VALID IN DATA I/O NOTE 18 t HZOE Notes 16. Data I/O is high impedance if OE = V . IH 17. If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state. 18. During thi

Résumé du contenu de la page N° 7

CY7C1018DV33 Switching Waveforms (continued) [11, 17] Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE t t SD HD DATA I/O NOTE 18 DATA VALID t t LZWE HZWE Truth Table CE OE WE I/O –I/O Mode Power 0 7 H X X High-Z Power-down Standby (I ) SB L L H Data Out Read Active (I ) CC L X L Data In Write Active (I ) CC L H H High-Z Selected, Outputs Disabled Active (I ) CC Ordering Information Speed Package Operating Ordering Code Package Type (ns) Diagram Range 10

Résumé du contenu de la page N° 8

CY7C1018DV33 Package Diagram Figure 1. 32-pin (300-Mil) Molded SOJ (51-85041) PIN 1 I.D MIN. DIMENSIONS IN INCHES MAX. 0.330 0.292 0.340 LEAD COPLANARITY 0.004 MAX. 0.305 0.810 0.830 * 0.128 0.140 0.006 0.012 * 0.026 * 0.260 0.050 0.032 0.025 0.275 TYP. 0.014 MIN. 51-85041-*A 0.020 All product and company names mentioned in this document are the trademarks of their respective holders. Document #: 38-05465 Rev. *D Page 8 of 9 © Cypress Semiconductor Corporation, 2006. The information contained h

Résumé du contenu de la page N° 9

CY7C1018DV33 Document History Page Document Title: CY7C1018DV33, 1-Mbit (128K x 8) Static RAM Document Number: 38-05465 Orig. of REV. ECN NO. Issue Date Description of Change Change ** 201560 See ECN SWI Advance Information data sheet for C9 IPP *A 238471 See ECN RKF DC parameters modified as per EROS (Spec # 01-02165) Pb-free Offering in the Ordering Information *B 262950 See ECN RKF Added Data Retention Characteristics table Added T Spec in Switching Characteristics table power Shaded Orderi


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