Instruction d'utilisation Cypress CY7C106D

Instruction d'utilisation pour le dispositif Cypress CY7C106D

Dispositif: Cypress CY7C106D
Catégorie: Equipement informatique
Fabricant: Cypress
Dimension: 0.92 MB
Date d'addition: 10/9/2014
Nombre des pages: 11
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Résumés

Vous trouverez ci-dessous les annonces des contenus qui se trouvent sur les pages suivantes de l'instruction de Cypress CY7C106D. Si vous voulez parcourir rapidement le contenu des pages suivantes de l'instruction, vous pouvez en profiter.

Résumés du contenu
Résumé du contenu de la page N° 1

CY7C106D
CY7C1006D
1-Mbit (256K x 4) Static RAM
[1]
Features Functional Description
• Pin- and function-compatible with CY7C106B/CY7C1006B The CY7C106D and CY7C1006D are high-performance
CMOS static RAMs organized as 262,144 words by 4 bits.
• High speed
Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip
—t = 10 ns
AA
Enable (CE), an active LOW Output Enable (OE), and tri-state
• Low active power
drivers. These devices have an automatic power-down feature
that reduces power consumption b

Résumé du contenu de la page N° 2

CY7C106D CY7C1006D [2] Pin Configuration SOJ Top View A V 1 28 0 CC A 1 2 27 A 17 A A 2 3 26 16 A 4 A 3 25 15 A 5 A 24 4 14 A 6 23 A 5 13 A 7 22 A 6 12 A 7 8 21 A 11 A 8 9 NC 20 A IO 9 10 19 3 A 10 11 18 IO 2 IO CE 12 17 1 13 16 IO OE 0 GND 14 15 WE Selection Guide CY7C106D-10 Unit CY7C1006D-10 Maximum Access Time 10 ns Maximum Operating Current 80 mA Maximum Standby Current 3 mA Note 2. NC pins are not connected on the die. Document #: 38-05459 Rev. *E Page 2 of 11 [+] Feedback

Résumé du contenu de la page N° 3

CY7C106D CY7C1006D [3] DC Input Voltage ............................... –0.5V to V + 0.5V Maximum Ratings CC Current into Outputs (LOW) ........................................ 20 mA Exceeding the maximum ratings may impair the useful life of Static Discharge Voltage .......................................... > 2001V the device. These user guidelines are not tested. (per MIL-STD-883, Method 3015) Storage Temperature .................................–65°C to +150°C Latch-up Current ..............

Résumé du contenu de la page N° 4

CY7C106D CY7C1006D [4] Capacitance Parameter Description Test Conditions Max Unit C : Addresses Input Capacitance T = 25°C, f = 1 MHz, V = 5.0V 7 pF IN A CC C : Controls 10 pF IN C Output Capacitance 10 pF OUT [4] Thermal Resistance 300-Mil 400-Mil Parameter Description Test Conditions Unit Wide SOJ Wide SOJ Θ Thermal Resistance Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch, 59.16 58.76 °C/W JA (Junction to Ambient) four-layer printed circuit board Θ Thermal Resistance 40.84 40.54 °C/W JC (Junction t

Résumé du contenu de la page N° 5

CY7C106D CY7C1006D [6] Switching Characteristics (Over the Operating Range) 7C106D-10 7C1006D-10 Parameter Description Unit Min Max Read Cycle [7] t V (typical) to the first access 100 µs power CC t Read Cycle Time 10 ns RC t Address to Data Valid 10 ns AA t Data Hold from Address Change 3 ns OHA t CE LOW to Data Valid 10 ns ACE t OE LOW to Data Valid 5 ns DOE t OE LOW to Low Z 0 ns LZOE [8, 9] t OE HIGH to High Z 5ns HZOE [9] t CE LOW to Low Z 3ns LZCE [8, 9] t CE HIGH to High Z 5ns HZCE [10]

Résumé du contenu de la page N° 6

CY7C106D CY7C1006D Data Retention Characteristics (Over the Operating Range) Parameter Description Conditions Min Max Unit V V for Data Retention 2.0 V DR CC I Data Retention Current V = V = 2.0V, CE > V – 0.3V, 3mA CCDR CC DR CC V > V – 0.3V or V < 0.3V IN CC IN [4] t Chip Deselect to Data Retention Time 0 ns CDR [13, 14] t Operation Recovery Time t ns R RC Data Retention Waveform DATA RETENTION MODE 4.5V 4.5V V V > 2V DR CC t t CDR R CE Switching Waveforms [15, 16] Read Cycle No.1 (Address Tr

Résumé du contenu de la page N° 7

CY7C106D CY7C1006D Switching Waveforms (continued) [18, 19] Write Cycle No. 1 (CE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t SA t t AW HA t PWE WE t t SD HD DATA IO DATA VALID [18, 19] Write Cycle No. 2 (WE Controlled, OE HIGH During Write) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE OE t SD t HD DATA IO DATA VALID t HZOE Notes 18. If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state. 19. Data IO is high impedance if OE = V . IH Document #: 38-05459 Rev. *

Résumé du contenu de la page N° 8

CY7C106D CY7C1006D Switching Waveforms (continued) [12, 19] Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE t t SD HD DATA VALID DATA IO t t HZWE LZWE Truth Table CE OE WE Input/Output Mode Power H X X High Z Power-Down Standby (I ) SB L L H Data Out Read Active (I ) CC L X L Data In Write Active (I ) CC L H H High Z Selected, Outputs Disabled Active (I ) CC Ordering Information Speed Package Operating Package Type (ns) Ordering Code Diagram Range 10 CY7C

Résumé du contenu de la page N° 9

CY7C106D CY7C1006D Package Diagrams Figure 1. 28-pin (300-Mil) Molded SOJ, 51-85031 NOTE : 1. JEDEC STD REF MO088 2. BODY LENGTH DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION/END FLASH MOLD PROTRUSION/END FLASH SHALL NOT EXCEED 0.006 in (0.152 mm) PER SIDE 3. DIMENSIONS IN INCHES MIN. MAX. DETAIL A PIN 1 ID EXTERNAL LEAD DESIGN 14 1 0.291 0.330 0.300 0.350 0.026 0.032 0.013 15 28 0.019 0.014 0.020 OPTION 1 OPTION 2 0.697 SEATING PLANE 0.713 0.120 0.007 0.140 0.013 0.004 A 0.262 0.050 0.272 0.025 MI

Résumé du contenu de la page N° 10

CY7C106D CY7C1006D Package Diagrams Figure 2. 28-pin (400-Mil) Molded SOJ, 51-85032 PIN 1 I.D 14 1 MIN. DIMENSIONS IN INCHES .435 MAX. .445 .395 .405 15 28 .720 .730 SEATING PLANE .128 .148 .007 .013 0.004 .026 .360 51-85032-*B .032 .025 MIN. .380 .015 .020 All product and company names mentioned in this document may be the trademarks of their respective holders. Document #: 38-05459 Rev. *E Page 10 of 11 © Cypress Semiconductor Corporation, 2006-2007. The information contained herein is subject

Résumé du contenu de la page N° 11

CY7C106D CY7C1006D Document History Page Document Title: CY7C106D/CY7C1006D, 1-Mbit (256K x 4) Static RAM Document Number: 38-05459 Orig. of REV. ECN NO. Issue Date Description of Change Change ** 201560 See ECN SWI Advance information data sheet for C9 IPP *A 233693 See ECN RKF I ,I ,I Specs are modified as per EROS (Spec # 01-2165) CC SB1 SB2 Pb-free offering in the ‘ordering information’ *B 262950 See ECN RKF Added T Spec in Switching Characteristics table power Shaded ‘Ordering Information’


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