Instruction d'utilisation Cypress CY62137EV30

Instruction d'utilisation pour le dispositif Cypress CY62137EV30

Dispositif: Cypress CY62137EV30
Catégorie: Equipement informatique
Fabricant: Cypress
Dimension: 0.59 MB
Date d'addition: 4/6/2014
Nombre des pages: 12
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Résumés

Vous trouverez ci-dessous les annonces des contenus qui se trouvent sur les pages suivantes de l'instruction de Cypress CY62137EV30. Si vous voulez parcourir rapidement le contenu des pages suivantes de l'instruction, vous pouvez en profiter.

Résumés du contenu
Résumé du contenu de la page N° 1

CY62137EV30

®
MoBL
2-Mbit (128K x 16) Static RAM
[1]
Features Functional Description
• Very high speed: 45 ns The CY62137EV30 is a high-performance CMOS static RAM
organized as 128K words by 16 bits. This device features ad-
• Wide voltage range: 2.20V–3.60V
vanced circuit design to provide ultra-low active current. This
®
• Pin-compatible with CY62137CV30
is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL ) in portable
applications such as cellular telephones. The device also has
• Ultra-low sta

Résumé du contenu de la page N° 2

CY62137EV30 ® MoBL [2, 3] Pin Configurations VFBGA (Top View) 44 TSOP II (Top View) 1 2 4 5 3 6 1 44 A A 4 5 A A A NC A 43 A BLE OE 2 0 1 2 A 3 6 3 42 A A 2 7 4 41 A OE 1 A I/O BHE A CE I/O B 8 3 4 0 40 5 BHE A 0 39 CE 6 BLE 38 A A C I/O 7 I/O I/O I/O I/O I/O 0 15 9 10 5 6 1 2 37 I/O 8 I/O 1 14 36 I/O 9 2 I/O 13 Vcc A V I/O NC I/O SS D 11 7 3 35 10 I/O I/O 3 12 34 V 11 V SS CC 33 V 12 Vss V NC A SS V I/O E CC CC I/O 12 16 4 I/O 13 32 I/O 4 11 I/O 31 I/O 14 10 5 F I/O I/O A A I/O 30 I/O I/O

Résumé du contenu de la page N° 3

CY62137EV30 ® MoBL [4, 5] DC Input Voltage ........... –0.3V to 3.9V (V + 0.3V) Maximum Ratings CC MAX Output Current into Outputs (LOW) ............................ 20 mA (Above which the useful life may be impaired. For user guide- Static Discharge Voltage ......................................... > 2001V lines, not tested.) (per MIL-STD-883, Method 3015) Storage Temperature ................................–65°C to + 150°C Latch-up Current ...................................................

Résumé du contenu de la page N° 4

CY62137EV30 ® MoBL [8] Capacitance (for all packages) Parameter Description Test Conditions Max. Unit C Input Capacitance T = 25°C, f = 1 MHz, 10 pF IN A V = V CC CC(typ) C Output Capacitance 10 pF OUT Thermal Resistance Parameter Description Test Conditions BGA TSOP II Unit Θ Thermal Resistance Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch, two-layer 75 77 °C/W JA [8] (Junction to Ambient) printed circuit board Θ Thermal Resistance 10 13 °C/W JC [8] (Junction to Case) AC Test Loads and Waveform

Résumé du contenu de la page N° 5

CY62137EV30 ® MoBL [11] Switching Characteristics Over the Operating Range 45 ns Parameter Description Min. Max. Unit Read Cycle t Read Cycle Time 45 ns RC t Address to Data Valid 45 ns AA t Data Hold from Address Change 10 ns OHA t CE LOW to Data Valid 45 ns ACE t OE LOW to Data Valid 22 ns DOE [12] t OE LOW to LOW Z 5ns LZOE [12, 13] t OE HIGH to High Z 18 ns HZOE [12] t CE LOW to Low Z 10 ns LZCE [12, 13] t CE HIGH to High Z 18 ns HZCE t CE LOW to Power-Up 0 ns PU t CE HIGH to Power-Down 45

Résumé du contenu de la page N° 6

CY62137EV30 ® MoBL Switching Waveforms [15, 16] Read Cycle 1 (Address Transition Controlled) t RC ADDRESS t AA t OHA DATA OUT PREVIOUS DATA VALID DATA VALID [16, 17] Read Cycle No. 2 (OE Controlled) ADDRESS t RC CE t PD t t HZCE ACE OE t HZOE t DOE BHE/BLE t LZOE t HZBE t DBE t LZBE HIGH IMPEDANCE HIGH IMPEDANCE DATA OUT DATA VALID t LZCE t PU V I CC CC SUPPLY 50% 50% CURRENT I SB Notes: 15. The device is continuously selected. OE, CE = V , BHE and/or BLE = V . IL IL 16. WE is HIGH for read

Résumé du contenu de la page N° 7

CY62137EV30 ® MoBL Switching Waveforms (continued) [14, 18, 19] Write Cycle No. 1 (WE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE t BW BHE/BLE OE t SD t HD DATA I/O NOTE20 DATA IN t HZOE [14, 18, 19] Write Cycle No. 2 (CE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t SA t t AW HA t PWE WE t BW BHE/BLE OE t SD t HD DATA I/O DATA IN NOTE 20 t HZOE Notes: 18. Data I/O is high impedance if OE = V . IH 19. If CE goes HIGH simultaneously with WE = V , the output remains in a high-impedance st

Résumé du contenu de la page N° 8

CY62137EV30 ® MoBL Switching Waveforms (continued) [19] Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE t BW BHE/BLE t t AW HA t t SA PWE WE t HD t SD NOTE 20 DATAI/O DATA IN t HZWE t LZWE [19] Write Cycle No. 4 (BHE/BLE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS CE t SCE t t AW HA t BW BHE/BLE t SA t PWE WE t HZWE t t HD SD DATA I/O DATA NOTE 20 IN t LZWE Document #: 38-05443 Rev. *B Page 8 of 12 [+] Feedback

Résumé du contenu de la page N° 9

CY62137EV30 ® MoBL Truth Table CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X High Z Deselect/Power-down Standby (I ) SB X X X H H High Z Deselect/Power-down Standby (I ) SB L H L L L Data Out (I/O –I/O ) Read Active (I ) O 15 CC L H L H L Data Out (I/O –I/O ); Read Active (I ) O 7 CC I/O –I/O in High Z 8 15 L H L L H Data Out (I/O –I/O ); Read Active (I ) 8 15 CC I/O –I/O in High Z 0 7 L H H L L High Z Output Disabled Active (I ) CC L H H H L High Z Output Disabled Active (I ) CC L

Résumé du contenu de la page N° 10

CY62137EV30 ® MoBL Package Diagrams 48-pin VFBGA (6 x 8 x 1 mm) (51-85150) BOTTOM VIEW TOP VIEW A1 CORNER Ø0.05 M C Ø0.25 M C A B A1 CORNER Ø0.30±0.05(48X) 1 2346 5 65 4 3 2 1 A A B B C C D D E E F F G G H H 1.875 A A 0.75 B 6.00±0.10 3.75 B 6.00±0.10 0.15(4X) 51-85150-*D SEATING PLANE C Document #: 38-05443 Rev. *B Page 10 of 12 [+] Feedback 0.25 C 8.00±0.10 0.26 MAX. 0.55 MAX. 0.21±0.05 1.00 MAX 0.10 C 8.00±0.10 5.25 0.75 2.625

Résumé du contenu de la page N° 11

CY62137EV30 ® MoBL Package Diagrams (continued) 44-Pin TSOP II (51-85087) 51-85087-*A MoBL is a registered trademark, and More Battery Life is a trademark, of Cypress Semiconductor. All product and company names mentioned in this document may be the trademarks of their respective holders. Document #: 38-05443 Rev. *B Page 11 of 12 © Cypress Semiconductor Corporation, 2006. The information contained herein is subject to change without notice. Cypress Semiconductor Corporation assumes no respon

Résumé du contenu de la page N° 12

CY62137EV30 ® MoBL Document History Page ® Document Title: CY62137EV30 MoBL 2-Mbit (128K x 16) Static RAM Document Number: 38-05443 Orig. of REV. ECN NO. Issue Date Change Description of Change ** 203720 See ECN AJU New Data Sheet *A 234196 See ECN AJU Changed I MAX at f=1MHz from 1.7 mA to 2.0 mA CC Changed I TYP from 12 mA (35 ns speed bin) and 10 mA (45 ns speed CC bin) to 15 mA and 12 mA respectively Changed I MAX from 20 mA (35 ns speed bin) and 15 mA (45 ns speed CC bin) to 25 mA and


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