Instruction d'utilisation Cypress CY62138EV30

Instruction d'utilisation pour le dispositif Cypress CY62138EV30

Dispositif: Cypress CY62138EV30
Catégorie: Equipement informatique
Fabricant: Cypress
Dimension: 0.5 MB
Date d'addition: 4/6/2014
Nombre des pages: 9
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Résumés

Vous trouverez ci-dessous les annonces des contenus qui se trouvent sur les pages suivantes de l'instruction de Cypress CY62138EV30. Si vous voulez parcourir rapidement le contenu des pages suivantes de l'instruction, vous pouvez en profiter.

Résumés du contenu
Résumé du contenu de la page N° 1

CY62138EV30
®
MoBL
®
2-Mbit (256K x 8) MoBL Static RAM
[1]
Features Functional Description
• Very high speed: 45 ns The CY62138EV30 is a high-performance CMOS static RAM
organized as 256K words by 8 bits. This device features
— Wide voltage range: 2.20V – 3.60V
advanced circuit design to provide ultra-low active current.
®
• Pin-compatible with CY62138CV30
This is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL ) in
portable applications such as cellular telephones. The device
• Ultra-low standby p

Résumé du contenu de la page N° 2

CY62138EV30 ® MoBL [2] Pin Configuration FBGA Top View A A A A A NC 3 6 8 A 0 1 A I/O WE A I/O B A 4 4 7 0 2 NC A C I/O I/O 5 5 1 V V SS cc D V V E ss CC F I/O NC A I/O 17 6 2 CE I/O A G OE A I/O 16 7 15 3 A A A A A A 10 11 12 13 H 9 14 Product Portfolio Power Dissipation Operating I (mA) CC Product V Range (V) f = 1 MHz f = f Standby I (µA) CC max SB2 Speed [3] [3] [3] [3] Min. Typ. Max. (ns) Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. CY62138EV30LL 2.2 3.0 3.6 45 2 2.5 15 20 1 7 Notes: 2. NC pins are not

Résumé du contenu de la page N° 3

CY62138EV30 ® MoBL [4,5] DC Input Voltage ......................–0.3V to V + 0.3V Maximum Ratings CC(MAX) Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA (Above which the useful life may be impaired. For user guide- Static Discharge Voltage.......................................... > 2001V lines, not tested.) (per MIL-STD-883, Method 3015) Storage Temperature ..................................–65°C to +150°C Latch-up Current...................................................

Résumé du contenu de la page N° 4

CY62138EV30 ® MoBL Thermal Resistance Parameter Description Test Conditions BGA Unit Θ Thermal Resistance Still Air, soldered on a 3 x 4.5 inch, four-layer 72 °C/W JA (Junction to Ambient) printed circuit board Θ Thermal Resistance 8.86 °C/W JC (Junction to Case) AC Test Loads and Waveforms R1 V CC ALL INPUT PULSES OUTPUT V CC 90% 90% 10% 10% R2 30 pF GND Fall time: 1 V/ns Rise Time: 1 V/ns INCLUDING JIG AND SCOPE Equivalent to: THÉVENIN EQUIVALENT R TH OUTPUT V TH Parameters 2.50V 3.0V Unit R

Résumé du contenu de la page N° 5

CY62138EV30 ® MoBL [9] Switching Characteristics (Over the Operating Range) 45 ns Parameter Description Min. Max. Unit Read Cycle t Read Cycle Time 45 ns RC t Address to Data Valid 45 ns AA t Data Hold from Address Change 10 ns OHA t CE LOW to Data Valid 45 ns ACE t OE LOW to Data Valid 22 ns DOE [10] t OE LOW to Low Z 5ns LZOE [10,11] t OE HIGH to High Z 18 ns HZOE [10] t CE LOW to Low Z 10 ns LZCE [10, 11] t CE HIGH to High Z 18 ns HZCE t CE LOW to Power-up 0 ns PU t CE HIGH to Power-up 45 ns

Résumé du contenu de la page N° 6

CY62138EV30 ® MoBL Switching Waveforms (continued) [14, 15] Read Cycle No. 2 (OE Controlled) ADDRESS t RC CE t ACE OE t HZOE t DOE t HZCE t LZOE HIGH IMPEDANCE HIGH IMPEDANCE DATA OUT DATA VALID t LZCE t PD t PU V I CC CC SUPPLY 50% 50% CURRENT I SB [16, 18] Write Cycle No. 1 (WE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE OE t SD t HD DATA I/O DATA NOTE17 VALID IN t HZOE Notes: 15. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW. 16. Data I/O is high impedance if OE

Résumé du contenu de la page N° 7

CY62138EV30 ® MoBL Switching Waveforms (continued) [16, 18] Write Cycle No. 2 (CE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t HA t SA t AW t PWE WE OE t t SD HD DATA I/O DATA VALID IN [18] Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t SA t WE PWE t t SD HD DATA I/O DATA VALID NOTE 17 IN t t HZWE LZWE Truth Table CE WE OE Inputs/Outputs Mode Power H X X High Z Deselect/Power-down Standby (I ) SB L H L Data Out (I/O –I/O ) Read Active (I ) 0 7 CC L H H High Z Output Disabl

Résumé du contenu de la page N° 8

CY62138EV30 ® MoBL Ordering Information Speed Package Operating (ns) Ordering Code Diagram Package Type Range 45 CY62138EV30LL-45BVXI 51-85149 36-ball Very Fine Pitch BGA (6 mm × 8 mm × 1 mm) (Pb-free) Industrial Package Diagrams 36-ball VFBGA (6 x 8 x 1 mm) (51-85149) BOTTOM VIEW TOP VIEW A1 CORNER Ø0.05 M C Ø0.25MCAB A1 CORNER Ø0.30±0.05(36X) 1 2346 5 65 4 3 2 1 A A B B C C D D E E F F G G H H 1.875 A A 0.75 B 6.00±0.10 3.75 B 6.00±0.10 0.15(4X) SEATING PLANE 51-85149-*C C MoBL is a registered

Résumé du contenu de la page N° 9

CY62138EV30 ® MoBL Document History Page ® Document Title: CY62138EV30 2-Mbit (256K x 8) MoBL Static RAM Document Number: 38-05577 Issue Orig. of REV. ECN NO. Date Change Description of Change ** 237432 See ECN AJU New data sheet *A 427817 See ECN NXR Removed 35 ns Speed Bin Removed “L” version Removed 32-pin TSOPII package from product Offering. Changed ball C3 from DNU to NC. Removed the redundant footnote on DNU. Moved Product Portfolio from Page # 3 to Page #2. Changed I (Max) value from 2


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