Instruction d'utilisation Cypress CY62157CV33

Instruction d'utilisation pour le dispositif Cypress CY62157CV33

Dispositif: Cypress CY62157CV33
Catégorie: Equipement informatique
Fabricant: Cypress
Dimension: 1.88 MB
Date d'addition: 4/6/2014
Nombre des pages: 13
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Cypress CY62157CV33 Manuel d'utilisation - Online PDF
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Résumés

Vous trouverez ci-dessous les annonces des contenus qui se trouvent sur les pages suivantes de l'instruction de Cypress CY62157CV33. Si vous voulez parcourir rapidement le contenu des pages suivantes de l'instruction, vous pouvez en profiter.

Résumés du contenu
Résumé du contenu de la page N° 1


CY62157CV30/33
512K x 16 Static RAM
significantly reduces power consumption by 80% when
Features
addresses are not toggling. The device can also be put into
• Temperature Ranges standby mode reducing power consumption by more than 99%
when deselected (CE HIGH or CE LOW or both BLE and
1 2
— Automotive-A: –40°C to 85°C
BHE are HIGH). The input/output pins (I/O through I/O ) are
0 15
— Automotive-E: –40°C to 125°C
placed in a high-impedance state when: deselected (CE
1
HIGH or CE LOW), outputs a

Résumé du contenu de la page N° 2

CY62157CV30/33 Product Portfolio Power Dissipation Operating (I ) mA CC Standby (I ) SB2 V Range f = 1 MHz f = f µA CC max [2] [2] [2] [2] Product Range Min. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. CY62157CV30 Automotive-E 2.7V 3.0V 3.3V 1.5 3 7 15 8 70 CY62157CV33 Automotive-A 3.0V 3.3V 3.6V 1.5 3 5.5 12 10 30 Automotive-E 1.5 3 7 15 10 80 [2, 3, 4] Pin Configurations FBGA (Top View) 126 3 4 5 CE A A A BLE OE 2 0 1 2 A A A I/O BHE CE I/O B 8 3 4 1 0 I/O A A C I/O I/O I/O 9 10 5 6 1 2 A V

Résumé du contenu de la page N° 3

CY62157CV30/33 Static Discharge Voltage.......................................... > 2001V Maximum Ratings (per MIL-STD-883, Method 3015) (Above which the useful life may be impaired. For user guide- Latch-up Current ................................................... > 200 mA lines, not tested.) Operating Range Storage Temperature ................................. –65°C to +150°C Ambient Temperature with Ambient Power Applied.............................................–55°C to +125°C Temperat

Résumé du contenu de la page N° 4

CY62157CV30/33 Electrical Characteristics Over the Operating Range CY62157CV33-70 [2] Parameter Description Test Conditions Min. Typ. Max. Unit V Output HIGH I = –1.0 mA 2.4 V OH OH Voltage V = 3.0V CC V Output LOW I = 2.1 mA 0.4 V OL OL Voltage V = 3.0V CC V Input HIGH Voltage 2.2 V + 0.3V V IH CC V Input LOW Voltage –0.3 0.8 V IL I Input Leakage GND < V < V Auto-A –1 +1 µA IX I CC Current Auto-E –10 +10 µA I Output Leakage GND < V < V , Output Disabled Auto-A –1 +1 µA OZ O CC Current Auto-E

Résumé du contenu de la page N° 5

CY62157CV30/33 [7] Capacitance Parameter Description Test Conditions Max. Unit C Input Capacitance T = 25°C, f = 1 MHz, 6pF IN A V = V CC CC(typ.) C Output Capacitance 8 pF OUT AC Test Loads and Waveforms R1 V CC ALL INPUT PULSES V Typ OUTPUT CC 90% 90% 10% 10% GND R2 30 pF Rise TIme: 1 V/ns Fall Time: 1 V/ns INCLUDING JIG AND SCOPE Equivalent to: THÉVENIN EQUIVALENT R TH OUTPUT V TH Parameters 3.0V 3.3V Unit R1 1.105 1.216 ΚΩ R2 1.550 1.374 ΚΩ R 0.645 0.645 ΚΩ TH V 1.75 1.75 V TH Data Retenti

Résumé du contenu de la page N° 6

CY62157CV30/33 [10] Switching Characteristics Over the Operating Range 70 ns Parameter Description Min. Max. Unit Read Cycle t Read Cycle Time 70 ns RC t Address to Data Valid 70 ns AA t Data Hold from Address Change 10 ns OHA t CE LOW and CE HIGH to Data Valid 70 ns ACE 1 2 t OE LOW to Data Valid 35 ns DOE [11] t OE LOW to Low-Z 5ns LZOE [11, 12] t OE HIGH to High-Z 25 ns HZOE [11] t CE LOW and CE HIGH to Low-Z 10 ns LZCE 1 2 [11, 12] t CE HIGH or CE LOW to High-Z 25 ns HZCE 1 2 t CE LOW a

Résumé du contenu de la page N° 7

CY62157CV30/33 Switching Waveforms [15, 16] Read Cycle No. 1 (Address Transition Controlled) t RC ADDRESS t AA t OHA DATA OUT PREVIOUS DATA VALID DATA VALID [16, 17] Read Cycle No. 2 (OE Controlled) ADDRESS t RC CE 1 CE 2 t ACE OE t HZBE BHE/BLE t LZBE t HZOE t DOE t HZCE t LZOE HIGH IMPEDANCE HIGH IMPEDANCE DATA OUT DATA VALID t LZCE t PD I t PU CC V CC 50% 50% SUPPLY I CURRENT SB Notes: 15. Device is continuously selected. OE, CE = V , BHE and/or BLE = V , CE = V . 1 IL IL 2 IH 16. WE is

Résumé du contenu de la page N° 8

CY62157CV30/33 Switching Waveforms (continued) [14, 18, 19] Write Cycle No. 1 (WE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE 1 CE 2 t t AW HA t t SA PWE WE t BW BHE/BLE OE t t SD HD DATA DATA I/O VALID IN NOTE 20 t HZOE Notes: 18. Data I/O is high-impedance if OE = V . IH 19. If CE goes HIGH or CE goes LOW simultaneously with WE HIGH, the output remains in a high-impedance state. 1 2 20. During this period, the I/Os are in output state and input signals should not be applied. Document #: 38-05014 Rev.

Résumé du contenu de la page N° 9

CY62157CV30/33 Switching Waveforms (continued) [14, 18, 19] Write Cycle No. 2 (CE or CE Controlled) 1 2 t WC ADDRESS t SCE CE 1 CE 2 t SA t t AW HA t PWE WE t BW BHE/BLE OE t SD t HD VALID DATA I/O DATA IN NOTE 20 t HZOE [19] Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE 1 CE 2 t BW BHE/BLE t t AW HA t t SA PWE WE t t SD HD NOTE 20 DATAI/O DATA VALID IN t LZWE t HZWE Document #: 38-05014 Rev. *F Page 9 of 13 [+] Feedback

Résumé du contenu de la page N° 10

CY62157CV30/33 Switching Waveforms (continued) [19] Write Cycle No. 4 (BHE/BLE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS CE 1 CE 2 t SCE t t AW HA t BW BHE/BLE t SA t PWE WE t t SD HD DATA I/O DATA VALID NOTE 20 IN Truth Table CE CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power 1 2 H X X X X X High Z Deselect/Power-Down Standby (I ) SB X L X X X X High Z Deselect/Power-Down Standby (I ) SB X X X X H H High Z Deselect/Power-Down Standby (I ) SB L H H L L L Data Out (I/O –I/O ) Read Active (I ) O 15 CC L H H

Résumé du contenu de la page N° 11

CY62157CV30/33 [2] Typical DC and AC Characteristics Operating Current vs. Supply Voltage 14.0 14.0 14.0 MoBL MoBL MoBL 12.0 12.0 12.0 10.0 10.0 10.0 8.0 8.0 8.0 (f = f , 70ns) (f = f , 70ns) max max (f = f , 70ns) 6.0 6.0 6.0 max 4.0 4.0 4.0 2.0 2.0 2.0 (f = 1 MHz) (f = 1 MHz) (f = 1 MHz) 0.0 0.0 0.0 3.0 2.7 3.3 2.2 2.7 2.5 3.0 3.3 3.6 SUPPLY VOLTAGE (V) SUPPLY VOLTAGE (V) SUPPLY VOLTAGE (V) Standby Current vs. Supply Voltage 12.0 12.0 12.0 MoBL 10.0 10.0 10.0 MoBL MoBL 8.0 8.0 8.0 6.0 6.0 6.

Résumé du contenu de la page N° 12

CY62157CV30/33 Ordering Information Speed Package Operating (ns) Ordering Code Diagram Package Type Range 70 CY62157CV30LL-70BAE 51-85128 48-Ball (6 mm x 10 mm x 1.2 mm) FBGA Automotive-E CY62157CV33LL-70BAXA Automotive-A CY62157CV33LL-70BAE Automotive-E Package Diagram 48-Ball (6 mm x 10 mm x 1.2 mm) FBGA (51-85128) BOTTOM VIEW TOP VIEW A1 CORNER Ø0.05 M C Ø0.25 M C A B A1 CORNER Ø0.30±0.05(48X) 1 2346 5 65 4 3 2 1 A A B B C C D D E E F F G G H H 1.875 A A 0.75 B 6.00±0.10 3.75 B 6.00±0.10 0

Résumé du contenu de la page N° 13

CY62157CV30/33 Document History Page Document Title: CY62157CV30/33 512K x 16 Static RAM Document Number: 38-05014 Orig. of REV. ECN NO. Issue Date Change Description of Change ** 106184 05/10/01 HRT/MGN New data sheet – Advance Information *A 107241 07/24/01 MGN Made corrections to Advance Information Added 55 ns bin *B 109621 03/11/02 MGN Changed from Advance Information to Final *C 114218 05/01/02 GUG/MGN Improved Typical and Max I values CC *D 238448 See ECN AJU Added Automotive Product I


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