Instruction d'utilisation Cypress CY62136VN

Instruction d'utilisation pour le dispositif Cypress CY62136VN

Dispositif: Cypress CY62136VN
Catégorie: Equipement informatique
Fabricant: Cypress
Dimension: 0.59 MB
Date d'addition: 4/6/2014
Nombre des pages: 12
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Notre objectif consiste à vous assurer le plus rapide accès au contenu de l'instruction d'utilisation du dispositif Cypress CY62136VN. En utilisant l'aperçu en ligne vous pouvez parcourir le sommaire et passer à la page où vous trouverez la résolution de votre problème avec Cypress CY62136VN.

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Résumés

Vous trouverez ci-dessous les annonces des contenus qui se trouvent sur les pages suivantes de l'instruction de Cypress CY62136VN. Si vous voulez parcourir rapidement le contenu des pages suivantes de l'instruction, vous pouvez en profiter.

Résumés du contenu
Résumé du contenu de la page N° 1


®
CY62136VN MoBL
2-Mbit (128K x 16) Static RAM
portable applications such as cellular telephones. The device
Features
also has an automatic power-down feature that significantly
• Temperature Ranges reduces power consumption by 99% when addresses are not
toggling. The device can also be put into standby mode when
— Industrial: –40°C to 85°C
deselected (CE HIGH). The input/output pins (I/O through
0
— Automotive-A: –40°C to 85°C
I/O ) are placed in a high-impedance state when: deselected
15
(C

Résumé du contenu de la page N° 2

® CY62136VN MoBL Product Portfolio Power Dissipation V Range (V) Operating, I (mA) Standby, I (µA) CC CC SB2 [2] [2] [2] Product Min Typ. Max Speed Ranges Typ. Maximum Typ. Maximum CY62136VNLL 2.7 3.0 3.6 55 Industrial 7 20 1 15 55 Automotive-A 7 20 1 15 70 Industrial 7 15 1 15 70 Automotive-A 7 15 1 15 70 Automotive-E 7 20 1 20 [3] Pin Configurations FBGA Top View 1 2 3 4 5 6 A A A OE NC BLE 0 1 2 A A A I/O BHE CE I/O B 3 4 0 8 I/O A A I/O C I/O I/O 5 6 9 10 1 2 V I/O A I/O V NC CC D SS 7 11

Résumé du contenu de la page N° 3

® CY62136VN MoBL Output Current into Outputs (LOW)............................ 20 mA Maximum Ratings Static Discharge Voltage........................................... > 2001V (Above which the useful life may be impaired. For user guide- (per MIL-STD-883, Method 3015) lines, not tested.) Latch-up Current..................................................... > 200 mA Storage Temperature ..................................–65°C to +150°C Operating Range Ambient Temperature with Power Applied.....

Résumé du contenu de la page N° 4

® CY62136VN MoBL [6] Thermal Resistance Parameter Description Test Conditions TSOPII FBGA Unit Θ Thermal Resistance Still Air, soldered on a 4.25 x 1.125 inch, 60 55 °C/W JA (Junction to Ambient) 4-layer printed circuit board Θ Thermal Resistance 22 16 °C/W JC (Junction to Case) AC Test Loads and Waveforms R1 R1 ALL INPUT PULSES V V CC V Typ CC CC 90% 90% OUTPUT OUTPUT 10% 10% GND R2 R2 30 pF 5 pF Rise Time: Fall Time: 1 V/ns 1 V/ns INCLUDING INCLUDING (c) JIG AND JIG AND SCOPE SCOPE (a) Eq

Résumé du contenu de la page N° 5

® CY62136VN MoBL [9] Switching Characteristics Over the Operating Range 55 ns 70 ns Parameter Description Min. Max. Min. Max. Unit Read Cycle t Read Cycle Time 55 70 ns RC t Address to Data Valid 55 70 ns AA t Data Hold from Address Change 10 10 ns OHA t CE LOW to Data Valid 55 70 ns ACE t OE LOW to Data Valid 25 35 ns DOE [10] t OE LOW to Low-Z 55 ns LZOE [10, 11] t OE HIGH to High-Z 25 25 ns HZOE [10] t CE LOW to Low-Z 10 10 ns LZCE [10, 11] t CE HIGH to High-Z 25 25 ns HZCE t CE LOW to Po

Résumé du contenu de la page N° 6

® CY62136VN MoBL Switching Waveforms [14, 15] Read Cycle No. 1 t RC ADDRESS t AA t OHA DATA OUT PREVIOUS DATA VALID DATA VALID [15, 16] Read Cycle No. 2 t RC CE t PD t t HZCE ACE OE t HZOE t DOE BHE/BLE t LZOE t HZBE t DBE t LZBE HIGH IMPEDANCE HIGH IMPEDANCE DATA OUT DATA VALID t LZCE t PU V I CC CC SUPPLY 50% 50% CURRENT I SB Notes: 14. Device is continuously selected. OE, CE = V . IL 15. WE is HIGH for read cycle. 16. Address valid prior to or coincident with CE transition LOW. Documen

Résumé du contenu de la page N° 7

® CY62136VN MoBL Switching Waveforms (continued) [12, 17, 18] Write Cycle No. 1 (WE Controlled) t WC ADDRESS CE t t AW HA t t SA PWE WE t BW BHE/BLE OE t SD t HD DATA I/O DATA VALID NOTE19 IN t HZOE [12, 17, 18] Write Cycle No. 2 (CE Controlled) t WC ADDRESS t CE SCE t SA t t AW HA t BW BHE/BLE t PWE WE t t SD HD DATA I/O DATA VALID IN Notes: 17. Data I/O is high impedance if OE = V . IH 18. If CE goes HIGH simultaneously with WE HIGH, the output remains in a high-impedance state. 19. During

Résumé du contenu de la page N° 8

® CY62136VN MoBL Switching Waveforms (continued) [13, 18] Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS CE t t AW HA t BW BHE/BLE t SA WE t t SD HD DATA I/O DATA VALID NOTE 19 IN t t LZWE HZWE [19] Write Cycle No. 4 (BHE/BLE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS CE t t AW HA t BW BHE/BLE t SA WE t t SD HD DATA I/O DATA VALID IN NOTE 19 t t LZWE HZWE Document #: 001-06510 Rev. *A Page 8 of 12 [+] Feedback

Résumé du contenu de la page N° 9

® CY62136VN MoBL Typical DC and AC Characteristics Normalized Operating Current Standby Current vs. Supply Voltage vs. Supply Voltage 35 1.4 MoBL 30 1.2 MoBL 25 1.0 20 0.8 15 0.6 10 0.4 5 0.2 0 0.0 2.7 1.0 3.7 1.9 2.8 1.7 2.2 2.7 3.2 3.7 SUPPLY VOLTAGE (V) SUPPLY VOLTAGE (V) Access Time vs. Supply Voltage 80 MoBL 70 60 50 40 30 20 10 1.0 3.7 2.8 1.9 2.7 SUPPLY VOLTAGE (V) Truth Table CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X High-Z Deselect/Power-down Standby (I ) SB L H L L L Da

Résumé du contenu de la page N° 10

® CY62136VN MoBL Ordering Information Speed Package Operating (ns) Ordering Code Diagram Package Type Range 55 CY62136VNLL-55ZXI 51-85087 44-pin TSOP II (Pb-Free) Industrial CY62136VNLL-55BAI 51-85096 48-Ball (7.00 mm x 7.00 mm) FBGA CY62136VNLL-55ZSXA 51-85087 44-pin TSOP II (Pb-Free) Automotive-A 70 CY62136VNLL-70ZXI 51-85087 44-pin TSOP II (Pb-Free) Industrial CY62136VNLL-70BAI 51-85096 48-Ball (7.00 mm x 7.00 mm) FBGA CY62136VNLL-70BAXA 51-85096 48-Ball (7.00 mm x 7.00 mm) FBGA (Pb-Free) A

Résumé du contenu de la page N° 11

® CY62136VN MoBL Package Diagrams (continued) 48-Ball (7.00 mm x 7.00 mm) FBGA (51-85096) BOTTOM VIEW TOP VIEW PIN 1 CORNER Ø0.05 M C PIN 1 CORNER Ø0.25 M C A B (LASER MARK) Ø0.30±0.05(48X) 12 3 4 5 6 64 5 321 A A B B C C D D E E F F G G H H A A 1.875 0.75 B 7.00±0.10 3.75 7.00±0.10 B 0.15(4X) 51-85096-*F SEATING PLANE C 1.20 MAX. MoBL is a registered trademark, and More Battery Life is a trademark, of Cypress Semiconductor Corporation. All product and company names mentioned in this document

Résumé du contenu de la page N° 12

® CY62136VN MoBL Document History Page ® Document Title: CY62136VN MoBL 2-Mbit (128K x 16) Static RAM Document Number: 001-06510 Orig. of REV. ECN NO. Issue Date Change Description of Change ** 426503 See ECN RXU New Data Sheet *A 488954 See ECN NXR Added Automotive product Updated ordering Information table Document #: 001-06510 Rev. *A Page 12 of 12 [+] Feedback


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