Instruction d'utilisation Cypress CY62158EV30

Instruction d'utilisation pour le dispositif Cypress CY62158EV30

Dispositif: Cypress CY62158EV30
Catégorie: Equipement informatique
Fabricant: Cypress
Dimension: 1.02 MB
Date d'addition: 4/6/2014
Nombre des pages: 11
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Résumés

Vous trouverez ci-dessous les annonces des contenus qui se trouvent sur les pages suivantes de l'instruction de Cypress CY62158EV30. Si vous voulez parcourir rapidement le contenu des pages suivantes de l'instruction, vous pouvez en profiter.

Résumés du contenu
Résumé du contenu de la page N° 1


®
CY62158EV30 MoBL
8-Mbit (1024K x 8) Static RAM
[2]
Features Functional Description
• Very high speed: 45 ns The CY62158EV30 is a high performance CMOS static RAM
organized as 1024K words by 8 bits. This device features
— Wide voltage range: 2.20V–3.60V
advanced circuit design to provide ultra low active current.
®
• Pin compatible with CY62158DV30
This is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL ) in
• Ultra low standby power portable applications such as cellular telephones. The device

Résumé du contenu de la page N° 2

® CY62158EV30 MoBL [3] Pin Configurations 48-Ball VFBGA 44-Pin TSOPII Top View Top View 1 4 2 3 5 6 44 A 1 A 4 5 43 A 2 A 3 6 A A A NC OE CE 2 0 1 2 A 42 3 A A 2 7 41 4 OE A 1 40 NC 5 A A A CE NC NC CE B 3 4 0 2 1 39 6 A8 CE 1 38 NC NC 7 C IO NC A A NC IO 5 6 37 0 4 NC 8 NC 36 IO 9 IO 0 7 35 10 A V IO V IO CC IO SS A D 1 6 IO 7 17 5 1 34 11 V V CC SS 33 V 12 V SS CC V V IO NC A E IO SS 32 CC 16 IO 13 IO 2 6 2 5 IO 31 IO 14 3 4 NC 30 15 NC F A A IO NC NC IO 14 15 3 7 29 NC NC 16 28 A WE 17 9 1

Résumé du contenu de la page N° 3

® CY62158EV30 MoBL Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA Maximum Ratings Static Discharge Voltage............................................ >2001V Exceeding the maximum ratings may impair the useful life of (MIL-STD-883, Method 3015) the device. These user guidelines are not tested. Latch up Current...................................................... >200 mA Storage Temperature ..................................–65°C to +150°C Operating Range Ambient Temperat

Résumé du contenu de la page N° 4

® CY62158EV30 MoBL [9] Thermal Resistance Parameter Description Test Conditions BGA TSOP II Unit Θ Thermal Resistance Still Air, soldered on a 3 x 4.5 inch, 72 76.88 °C/W JA (Junction to Ambient) two-layer printed circuit board Θ Thermal Resistance 8.86 13.52 °C/W JC (Junction to Case) AC Test Loads and Waveforms R1 ALL INPUT PULSES V CC V CC 90% 90% OUTPUT 10% 10% GND R2 Fall time: 1 V/ns 30 pF Rise Time: 1 V/ns INCLUDING JIG AND Equivalent to: THÉVENIN EQUIVALENT SCOPE R TH V OUTPUT TH

Résumé du contenu de la page N° 5

® CY62158EV30 MoBL [11] Switching Characteristics (Over the Operating Range) 45 ns Parameter Description Unit Min Max Read Cycle t Read Cycle Time 45 ns RC t Address to Data Valid 45 ns AA t Data Hold from Address Change 10 ns OHA t CE LOW and CE HIGH to Data Valid 45 ns ACE 1 2 t OE LOW to Data Valid 22 ns DOE [12] t OE LOW to Low Z 5ns LZOE [12, 13] t OE HIGH to High Z 18 ns HZOE [12] t CE LOW and CE HIGH to Low Z 10 ns LZCE 1 2 [12, 13] t CE HIGH or CE LOW to High Z 18 ns HZCE 1 2 t CE L

Résumé du contenu de la page N° 6

® CY62158EV30 MoBL Switching Waveforms [15, 16] Read Cycle No. 1 (Address Transition Controlled) t RC ADDRESS t AA t OHA DATA OUT PREVIOUS DATA VALID DATA VALID [16, 17] Read Cycle No. 2 (OE Controlled) ADDRESS t RC CE 1 CE 2 t ACE OE t HZOE t DOE t HZCE t LZOE HIGH IMPEDANCE HIGH IMPEDANCE DATA OUT DATA VALID t LZCE t PD V CC t I PU CC SUPPLY 50% 50% I CURRENT SB Notes 15. Device is continuously selected. OE, CE = V , CE = V . 1 IL 2 IH 16. WE is HIGH for read cycle. 17. Address valid before

Résumé du contenu de la page N° 7

® CY62158EV30 MoBL Switching Waveforms (continued) [14, 18, 19] Write Cycle No. 1 (WE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE 1 CE 2 t t AW HA t t SA PWE WE OE t SD t HD VALID DATA DATA IO NOTE 20 t HZOE [14, 18, 19] Write Cycle No. 2 (CE or CE Controlled) 1 2 t WC ADDRESS t SCE CE 1 t SA CE 2 t t AW HA t PWE WE OE t t SD HD DATA IO VALID DATA Notes 18. Data IO is high impedance if OE = V . IH 19. If CE goes HIGH or CE goes LOW simultaneously with WE HIGH, the output remains in high impedance state

Résumé du contenu de la page N° 8

® CY62158EV30 MoBL Switching Waveforms (continued) [19] Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE 1 CE 2 t t AW HA t t SA PWE WE t t SD HD DATA IO NOTE 20 VALID DATA t t HZWE LZWE Truth Table CE CE WE OE Inputs/Outputs Mode Power 1 2 H X X X High Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB X L X X High Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB L H H L Data Out Read Active (I ) CC L H H H High Z Output Disabled Active (I ) CC L H L X Data in Write Active (I ) CC Ordering Information

Résumé du contenu de la page N° 9

® CY62158EV30 MoBL Package Diagrams Figure 1. 48-Ball VFBGA (6 x 8 x 1 mm), 51-85150 BOTTOM VIEW TOP VIEW A1 CORNER Ø0.05 M C Ø0.25 M C A B A1 CORNER Ø0.30±0.05(48X) 1 2346 5 65 4 3 2 1 A A B B C C D D E E F F G G H H 1.875 A A B 0.75 6.00±0.10 3.75 B 6.00±0.10 0.15(4X) SEATING PLANE C 51-85150-*D Document #: 38-05578 Rev. *D Page 9 of 11 [+] Feedback 0.25 C 8.00±0.10 0.26 MAX. 0.55 MAX. 0.21±0.05 1.00 MAX 0.10 C 8.00±0.10 5.25 0.75 2.625

Résumé du contenu de la page N° 10

® CY62158EV30 MoBL Package Diagrams (continued) Figure 2. 44-Pin TSOP II, 51-85087 51-85087-*A MoBL is a registered trademark, and More Battery Life is a trademark of Cypress Semiconductor. All product and company names mentioned in this document are the trademarks of their respective holders. Document #: 38-05578 Rev. *D Page 10 of 11 © Cypress Semiconductor Corporation, 2004-2007. The information contained herein is subject to change without notice. Cypress Semiconductor Corporation assumes

Résumé du contenu de la page N° 11

® CY62158EV30 MoBL Document History Page ® Document Title: CY62158EV30 MoBL , 8-Mbit (1024K x 8) Static RAM Document Number: 38-05578 Orig. of REV. ECN NO. Issue Date Description of Change Change ** 270329 See ECN PCI New Data Sheet *A 291271 See ECN SYT Converted from Advance Information to Preliminary Changed I from 4 to 4.5 µA CCDR *B 444306 See ECN NXR Converted from Preliminary to Final. Removed 35 ns speed bin Removed “L” bin. Removed 44 pin TSOP II package Included 48 pin TSOP I packa


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