Instruction d'utilisation Renesas HD74CBT1G125

Instruction d'utilisation pour le dispositif Renesas HD74CBT1G125

Dispositif: Renesas HD74CBT1G125
Catégorie: Commutateur
Fabricant: Renesas
Dimension: 0.09 MB
Date d'addition: 12/14/2013
Nombre des pages: 7
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Résumés

Vous trouverez ci-dessous les annonces des contenus qui se trouvent sur les pages suivantes de l'instruction de Renesas HD74CBT1G125. Si vous voulez parcourir rapidement le contenu des pages suivantes de l'instruction, vous pouvez en profiter.

Résumés du contenu
Résumé du contenu de la page N° 1


HD74CBT1G125
Single FET Bus Switch
REJ03D0815-0100
(Previous: ADE-205-645)
Rev.1.00
Apr 07, 2006
Description
The HD74CBT1G125 features a single high-speed line switch. The switch is disabled when the output enable (OE)
input is high.
Features
• Minimal propagation delay through the switch.
• 5 Ω switch connection between two ports.
• TTL-compatible input levels.
• Ultra low quiescent power.
 Ideally suited for notebook applications.
• Ordering Information

Package Code Packa

Résumé du contenu de la page N° 2

HD74CBT1G125 Pin Arrangement 1 OE 5 V CC A 2 GND 3 4 B (Top view) Absolute Maximum Ratings Item Symbol Ratings Unit Conditions Supply voltage range V −0.5 to 7.0 V CC *1 Input voltage range V −0.5 to 7.0 V I Input clamp current I −50 mA V < 0 IK I Continuous output current I 128 mA V = 0 to V O O CC Continuous current through V or GND I or I ±100 mA CC CC GND Maximum power dissipation P 200 mW T *2 at Ta = 25°C (in still air) Storage temperature Tstg −65 to 150 °C Notes:

Résumé du contenu de la page N° 3

HD74CBT1G125 DC Electrical Characteristics (Ta = −40 to 85°C) *1 Item Symbol V (V) Min Typ Max Unit Test conditions CC Clamp diode voltage V 4.5   −1.2 V I = −18 mA IK IN Input voltage V 4.0 to 5.5 2.0   V IH V 4.0 to 5.5   0.8 IL *2 On-state switch resistance R 4.0  14 20 Ω V = 2.4 V, I = 15 mA ON IN IN Typ at V = 4.0 V CC 4.5  5 7 V = 0 V, I = 64 mA IN IN 4.5  5 7 V = 0 V, I = 30 mA IN IN 4.5  10 15 V = 2.4 V, I = 15 mA IN IN Input current I 0 to 5.5   ±1.0 µA V = 5.

Résumé du contenu de la page N° 4

HD74CBT1G125 Switching Characteristics (Ta = −40 to 85°C) V = 4.0 V CC FROM TO Item Symbol Min Max Unit Test conditions (Input) (Output) *1 Propagation delay time t  0.35 ns C = 50 pF A or B B or A PLH L t R = 500 Ω PHL L Enable time t  5.5 ns C = 50 pF OE A or B ZH L t R = 500 Ω ZL L Disable time t  4.5 ns C = 50 pF OE A or B HZ L R = 500 Ω t  4.5 L LZ V = 5.0±0.5 V CC FROM TO Item Symbol Min Max Unit Test conditions (Input) (Output) *1 Propagation delay time t  0.

Résumé du contenu de la page N° 5

HD74CBT1G125 Waveforms – 1 t t r f 3 V 90 % 90 % 1.5 V 1.5 V Input 10 % 10 % GND t PLH t PHL V OH 1.5 V 1.5 V Output V OL Waveforms – 2 t t f r 3 V 90 % 90 % 1.5 V 1.5 V Output Control 10 % 10 % GND t t ZL LZ 3.5 V Waveform - A 1.5 V V + 0.3 V OL V OL t t ZH HZ V OH V - 0.3 V OH Waveform - B 1.5 V GND Notes: 1. All input pulses are supplied by generators having the following characteristics : PRR ≤ 10 MHz, Z = 50 Ω , t ≤ 2.5 ns, t ≤ 2.5 ns. O r f

Résumé du contenu de la page N° 6

HD74CBT1G125 Package Dimensions JEITA Package Code RENESAS Code Previous Code MASS[Typ.] SC-88A PTSP0005ZC-A CMPAK-5 / CMPAK-5V 0.006g D A e Q c EHE LP L Reference Dimension in Millimeters AA L1 A3 Symbol Min Nom Max b A 0.8 1.1 x S A M A1 0 0.1 e A2 0.8 0.9 1.0 A3 0.25 b 0.15 0.22 0.3 b1 0.2 A2 A c 0.1 0.13 0.15 c1 0.11 D 1.8 2.0 2.2 E 1.15 1.25 1.35 A1 y S e 0.65 S e1 HE 1.8 2.1 2.4 b L 0.3 0.7 L1 0.1 0.5 b1 LP 0.2 0.6 c1 l1 x 0.05 y 0.05 c b2 0.35 e1 b2 1.5 l1 0.9 A-A Section Pattern of te

Résumé du contenu de la page N° 7

Sales Strategic Planning Div. Nippon Bldg., 2-6-2, Ohte-machi, Chiyoda-ku, Tokyo 100-0004, Japan Keep safety first in your circuit designs! 1. Renesas Technology Corp. puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that trouble may occur with them. Trouble with semiconductors may lead to personal injury, fire or property damage. Remember to give due consideration to safety when making your circuit designs, with appr


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