Instruction d'utilisation Philips BGD885

Dispositif: Philips BGD885

Catégorie: Amplificateur stéréo

Fabricant: Philips

Dimension: 0.05 MB

Date d'addition: 10/2/2013

Nombre des pages: 8

Comment utiliser?

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Résumés

Vous trouverez ci-dessous les annonces des contenus qui se trouvent sur les pages suivantes de l'instruction de Philips BGD885. Si vous voulez parcourir rapidement le contenu des pages suivantes de l'instruction, vous pouvez en profiter.

Résumés du contenu

Résumé du contenu de la page N° 1

DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
book, halfpage
M3D248
BGD885
860 MHz, 17 dB gain power
doubler amplifier
Product speciﬁcation 2001 Nov 02
Supersedes data of 2001 Oct 25

Résumé du contenu de la page N° 2

Philips Semiconductors Product speciﬁcation 860 MHz, 17 dB gain power doubler ampliﬁer BGD885 FEATURES PINNING - SOT115D • Excellent linearity PIN DESCRIPTION • Extremely low noise 1 input • Silicon nitride passivation 2, 3, 5, 6, 7 common • Rugged construction 4 10 V, 200 mA supply terminal • Gold metallization ensures excellent reliability. 8+V B 9 output DESCRIPTION Hybrid amplifier module for CATV/MATV systems operating over a frequency range of 40 to 860 MHz at a handbook, halfpage 24 6 8 v

Résumé du contenu de la page N° 3

Philips Semiconductors Product speciﬁcation 860 MHz, 17 dB gain power doubler ampliﬁer BGD885 CHARACTERISTICS Table 1 Bandwidth 40 to 860 MHz; V = 24 V; T =35 °C; Z =Z =75 Ω B mb S L SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT G power gain f = 50 MHz 16.5 17.5 dB p SL slope cable equivalent f = 40 to 860 MHz 0.2 1.6 dB FL ﬂatness of frequency response f = 40 to 860 MHz -± 0.5 dB S input return losses f = 40 MHz; note 1 20 - dB 11 f = 800 to 860 MHz 10 - dB S output return losses f = 40 MHz; note

Résumé du contenu de la page N° 4

Philips Semiconductors Product speciﬁcation 860 MHz, 17 dB gain power doubler ampliﬁer BGD885 BGD885 1 23 45 67 89 input output 10 V C1 V = 24 V B C2 MEA094-2 Fig.2 Test circuit. List of components (see Fig.2) COMPONENT DESCRIPTION VALUE C1 ceramic multilayer capacitor 1 nF (max.) C2 ceramic multilayer capacitor 1 nF R resistor 56 Ω, 2W 2001 Nov 02 4

Résumé du contenu de la page N° 5

Philips Semiconductors Product speciﬁcation 860 MHz, 17 dB gain power doubler ampliﬁer BGD885 PACKAGE OUTLINE Rectangular single-ended package; aluminium flange; 2 vertical mounting holes; 2 x 6-32 UNC and 2 extra horizontal mounting holes; 9 gold-plated in-line leads SOT115D D E Z A 2 1 23 4 56 78 9 A L F S W e b M w c q y M 2 B d e 1 U Q 2 q y M B 1 B y M B P U q 1 0 5 10 mm scale DIMENSIONS (mm are the original dimensions) A U A D d E L Q Z 2 1 UNIT ee∅ P q W w y bF c q q S U 1 1 2 2 max. max

Résumé du contenu de la page N° 6

Philips Semiconductors Product speciﬁcation 860 MHz, 17 dB gain power doubler ampliﬁer BGD885 DATA SHEET STATUS PRODUCT (1) DATA SHEET STATUS DEFINITIONS (2) STATUS Objective data Development This data sheet contains data from the objective speciﬁcation for product development. Philips Semiconductors reserves the right to change the speciﬁcation in any manner without notice. Preliminary data Qualiﬁcation This data sheet contains data from the preliminary speciﬁcation. Supplementary data will be

Résumé du contenu de la page N° 7

Philips Semiconductors Product speciﬁcation 860 MHz, 17 dB gain power doubler ampliﬁer BGD885 NOTES 2001 Nov 02 7

Résumé du contenu de la page N° 8

Philips Semiconductors – a worldwide company Contact information For additional information please visit http://www.semiconductors.philips.com. Fax: +31 40 27 24825 For sales ofﬁces addresses send e-mail to: sales.addresses@www.semiconductors.philips.com. © Koninklijke Philips Electronics N.V. 2001 SCA73 All rights are reserved. Reproduction in whole or in part is prohibited without the prior written consent of the copyright owner. The information presented in this document does not form part of

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