Instruction d'utilisation NXP Semiconductors SiGeC BFU725F

Instruction d'utilisation pour le dispositif NXP Semiconductors SiGeC BFU725F

Dispositif: NXP Semiconductors SiGeC BFU725F
Catégorie: Four à microondes
Fabricant: NXP Semiconductors
Dimension: 0.18 MB
Date d'addition: 9/28/2013
Nombre des pages: 2
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NXP Semiconductors SiGeC BFU725F Manuel d'utilisation - Online PDF
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Résumés

Vous trouverez ci-dessous les annonces des contenus qui se trouvent sur les pages suivantes de l'instruction de NXP Semiconductors SiGeC BFU725F. Si vous voulez parcourir rapidement le contenu des pages suivantes de l'instruction, vous pouvez en profiter.

Résumés du contenu
Résumé du contenu de la page N° 1

SiGeC microwave NPN
transistor BFU725F
A perfect match up to 20 GHz
Meet the trend towards higher frequencies. With NXP Semiconductors’ latest SiGeC microwave
NPN transistor BFU725F, you get high switching frequencies plus extremely high gain and low noise.
All this in an easy-to-use SOT343F package. It’s the ideal solution for applications up to 20 GHz.
Key features
Ñ Very low noise (0.4 dB at 1.8 GHz / 0.67 dB at 5.8 GHz) The NPN microwave transistor BFU725F delivers an unbeatable
Ñ Hig

Résumé du contenu de la page N° 2

Parameter Symbol Conditions Value Collector-emitter breakdown BV I = 1 mA; I = 0 3.2 V CEO C B voltage Maximum collector current I 40 mA C(max) Transition frequency f V = 2 V; I = 25 mA; f = 2 GHz 68 GHz T CE C V = 2 V; I = 5 mA; f = 1.8 GHz; Γ = Γ 0.4 dB CE C s opt V = 2 V; I = 5 mA; f = 2.4 GHz; Γ = Γ 0.45 dB CE C s opt Noise figure NF V = 2 V; I = 5 mA; f = 5.8 GHz; Γ = Γ 0.7 dB CE C s opt V = 2 V; I = 5 mA; f = 12 GHz; Γ = Γ 1.0 dB CE C s opt V = 2 V; I = 25 mA; f = 1.8 GHz 26.6 dB CE C


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