Manual de instrucciones de Cypress CY7C1019CV33

Manual de instrucciones del aparato Cypress CY7C1019CV33

Aparato: Cypress CY7C1019CV33
Categoría: Equipamiento para ordenador
Fabricante: Cypress
Tamaño: 0.39 MB
Fecha de añadido: 10/9/2014
Número de páginas: 10
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Resúmenes

A continuación encontrarás resúmenes de los contenidos incluidos en las páginas posteriores del manual de instrucciones para Cypress CY7C1019CV33. Puedes utilizarlos si quieres ver rápidamente el contenido que se encuentra en la siguientes páginas del manual.

Resúmenes de contenidos
Resumen del contenido incluido en la página 1


CY7C1019CV33
128K x 8 Static RAM
device has an automatic power-down feature that significantly
Features
reduces power consumption when deselected.
• Pin and function compatible with CY7C1019BV33
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable
•High speed (CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O
pins (I/O through I/O ) is then written into the location
0 7
—t = 10 ns
AA
specified on the address pins (A through A ).
0 16
• CMOS for optimum speed/power
Reading fr

Resumen del contenido incluido en la página 2

CY7C1019CV33 [1] Pin Configuration 48-ball VFBGA (Top View) 1 2 3 4 5 6 A A OE A NC NC 2 6 7 A A A I/O NC CE I/O B 1 5 7 0 A A C I/O NC NC I/O 0 4 1 6 V NC A V NC NC SS CC D 3 V NC NC V NC E CC NC SS F A A I/O NC I/O I/O 2 14 11 4 5 A A I/O A G NC WE 15 12 8 3 A A A A NC 13 NC H 10 16 9 Selection Guide -10 -12 -15 Unit Maximum Access Time 10 12 15 ns Maximum Operating Current 80 75 70 mA Maximum Standby Current 5 5 5 mA Note: 1. NC pins are not connected on the die. Document #: 38-05130 Rev.

Resumen del contenido incluido en la página 3

CY7C1019CV33 Current into Outputs (LOW)......................................... 20 mA Maximum Ratings Static Discharge Voltage............................................ >2001V (Above which the useful life may be impaired. For user guide- (per MIL-STD-883, Method 3015) lines, not tested.) Latch-up Current...................................................... >200 mA Storage Temperature .................................–65°C to +150°C Ambient Temperature with Operating Range Power Applied....

Resumen del contenido incluido en la página 4

CY7C1019CV33 [4] AC Test Loads and Waveforms High-Z characteristics: R 317 Ω ALL INPUT PULSES 3.0V R 317 Ω 3.3V 90% 90% 3.3V OUTPUT 10% 10% OUTPUT GND R2 30 pF R2 351 Ω 5 pF 351 Ω (b) Fall Time: 1 V/ns Rise Time: 1 V/ns (a) (c) [5] Switching Characteristics Over the Operating Range -10 -12 -15 Parameter Description Min. Max. Min. Max. Min. Max. Unit Read Cycle t Read Cycle Time 10 12 15 ns RC t Address to Data Valid 10 12 15 ns AA t Data Hold from Address Change 3 3 3 ns OHA t 10 12 15 ns

Resumen del contenido incluido en la página 5

CY7C1019CV33 Switching Waveforms [11, 12] Read Cycle No. 1 t RC ADDRESS t AA t OHA DATA OUT PREVIOUS DATA VALID DATA VALID [12, 13] Read Cycle No. 2 (OE Controlled) ADDRESS t RC CE t ACE OE t HZOE t DOE t HZCE t LZOE HIGH IMPEDANCE HIGH IMPEDANCE DATA OUT DATA VALID t LZCE t PD ICC t PU V CC 50% 50% SUPPLY ISB CURRENT [14, 15] Write Cycle No. 1 (CE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t SA t SCE t t AW HA t PWE WE t t SD HD DATA I/O DATA VALID Notes: 11. Device is continuously selected. OE, C

Resumen del contenido incluido en la página 6

CY7C1019CV33 Switching Waveforms (continued) [14, 15] Write Cycle No. 2 (WE Controlled, OE HIGH During Write) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE OE t t SD HD DATA I/O DATA VALID IN NOTE 16 t HZOE [15] Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE t t SD HD NOTE 16 DATA I/O DATA VALID t t LZWE HZWE Truth Table I/O –I/O Mode Power CE OE WE 0 7 H X X High Z Power-Down Standby (I ) SB L L H Data Out Read Active (I ) CC L X L Data In Write Acti

Resumen del contenido incluido en la página 7

CY7C1019CV33 Ordering Information Speed Package Operating (ns) Ordering Code Diagram Package Type Range 10 CY7C1019CV33-10VC 51-85033 32-pin 400-Mil Molded SOJ Commercial CY7C1019CV33-10ZXC 51-85095 32-pin TSOP II (Pb-Free) CY7C1019CV33-10ZXI 32-pin TSOP II (Pb-Free) Industrial 12 CY7C1019CV33-12VC 51-85033 32-pin 400-Mil Molded SOJ Commercial CY7C1019CV33-12ZC 51-85095 32-pin TSOP II CY7C1019CV33-12ZXC 32-pin TSOP II (Pb-Free) CY7C1019CV33-12VI 51-85033 32-pin 400-Mil Molded SOJ Industrial

Resumen del contenido incluido en la página 8

CY7C1019CV33 Package Diagrams (continued) 32-pin TSOP II (51-85095) 51-85095-** Document #: 38-05130 Rev. *F Page 8 of 10 [+] Feedback

Resumen del contenido incluido en la página 9

CY7C1019CV33 Package Diagrams (continued) 48-ball VFBGA (6 x 8 x 1 mm) (51-85150) BOTTOM VIEW TOP VIEW A1 CORNER Ø0.05 M C Ø0.25 M C A B A1 CORNER Ø0.30±0.05(48X) 1 2346 5 65 4 3 2 1 A A B B C C D D E E F F G G H H 1.875 A A 0.75 B 6.00±0.10 3.75 B 6.00±0.10 0.15(4X) 51-85150-*D SEATING PLANE C All product and company names mentioned in this document are the trademarks of their respective holders. Document #: 38-05130 Rev. *F Page 9 of 10 © Cypress Semiconductor Corporation, 2006. The inform

Resumen del contenido incluido en la página 10

CY7C1019CV33 Document History Page Document Title: CY7C1019CV33 128K x 8 Static RAM Document Number: 38-05130 Issue Orig. of REV. ECN NO. Date Change Description of Change ** 109245 12/16/01 HGK New Data Sheet *A 113431 04/10/02 NSL AC Test Loads split based on speed *B 115047 08/01/02 HGK Added TSOP II Package and I Temp. Improved I limits CC *C 119796 10/11/02 DFP Updated standby current from 5 nA to 5 mA *D 123030 12/17/02 DFP Updated Truth Table to reflect single Chip Enable option *E 419


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