Manual de instrucciones de Cypress CY62128EV30

Manual de instrucciones del aparato Cypress CY62128EV30

Aparato: Cypress CY62128EV30
Categoría: Equipamiento para ordenador
Fabricante: Cypress
Tamaño: 0.4 MB
Fecha de añadido: 4/6/2014
Número de páginas: 11
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Resúmenes

A continuación encontrarás resúmenes de los contenidos incluidos en las páginas posteriores del manual de instrucciones para Cypress CY62128EV30. Puedes utilizarlos si quieres ver rápidamente el contenido que se encuentra en la siguientes páginas del manual.

Resúmenes de contenidos
Resumen del contenido incluido en la página 1

CY62128EV30
MoBL® 1 Mbit (128K x 8) Static RAM
Features Functional Description
[1]
■ Very high speed: 45 ns The CY62128EV30 is a high performance CMOS static RAM
module organized as 128K words by 8 bits. This device features
❐ Temperature ranges:
advanced circuit design to provide ultra low active current. This
• Industrial: –40°C to +85°C
®
is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL ) in portable
• Automotive-A: –40°C to +85°C
applications such as cellular telephones. The device also has a

Resumen del contenido incluido en la página 2

CY62128EV30 [2] Pin Configuration A 1 11 32 OE A 24 OE 11 25 2 A 31 A 23 9 A A 10 26 9 10 A 3 30 CE A 22 8 27 26 CE 1 8 1 4 A 29 A 28 13 IO 21 IO 7 13 7 5 28 29 20 WE IO WE IO 6 6 CE 6 30 27 IO CE 19 IO 2 5 2 5 A 7 TSOP I A 31 STSOP 15 26 IO 18 IO 4 15 4 V 8 Top View 25 IO V 32 Top View 17 IO CC 3 CC 3 (not to scale) 24 (not to scale) 16 NC 9 GND NC 1 GND A 23 IO A 15 IO 16 10 2 2 16 2 22 14 IO A IO A 3 11 1 14 1 14 A 21 IO A 13 IO 12 4 12 0 12 0 A 20 A A 12 A 7 13 0 5 7 0 A A 14 19 A A 6 11

Resumen del contenido incluido en la página 3

CY62128EV30 Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA Maximum Ratings Static Discharge Voltage.......................................... > 2001V Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the (MIL-STD-883, Method 3015) device. These user guidelines are not tested. Latch up Current..................................................... > 200 mA Storage Temperature.................................. –65°C to +150°C Ambient Temperature with Operating Range Power

Resumen del contenido incluido en la página 4

CY62128EV30 Capacitance [8] (For all packages) Parameter Description Test Conditions Max Unit C Input Capacitance T = 25°C, f = 1 MHz, 10 pF IN A V = V CC CC(typ) C Output Capacitance 10 pF OUT Thermal Resistance Parameter Description Test Conditions TSOP I SOIC STSOP Unit Θ Thermal Resistance Still Air, soldered on a 3 x 4.5 inch, 33.01 48.67 32.56 °C/W JA (Junction to Ambient) two-layer printed circuit board Θ Thermal Resistance 3.42 25.86 3.59 °C/W JC (Junction to Case) Figure 1. AC Test Lo

Resumen del contenido incluido en la página 5

CY62128EV30 [10] Data Retention Waveform DATA RETENTION MODE V V CC(min) V > 1.5V CC(min) V DR CC t t CDR R CE Switching Characteristics [10, 11] (Over the Operating Range) 45 ns (Ind’l/Auto-A) 55 ns (Auto-E) Parameter Description Unit Min Max Min Max Read Cycle t Read Cycle Time 45 55 ns RC t Address to Data Valid 45 55 ns AA t Data Hold from Address Change 10 10 ns OHA t CE LOW to Data Valid 45 55 ns ACE t OE LOW to Data Valid 22 25 ns DOE [12] t OE LOW to Low Z 55 ns LZOE [12,13] t OE HIGH

Resumen del contenido incluido en la página 6

CY62128EV30 Switching Waveforms [15, 16] Figure 2. Read Cycle 1 (Address transition controlled) tRC RC ADDRESS t AA t OHA DATA OUT PREVIOUS DATA VALID DATA VALID [10, 16, 17] Figure 3. Read Cycle No. 2 (OE controlled) ADDRESS t RC CE t ACE OE t HZOE t DOE t HZCE t LZOE HIGH IMPEDANCE HIGH IMPEDANCE DATA VALID DATA OUT t LZCE t PD t I V PU CC CC SUPPLY 50% 50% CURRENT I SB [10, 15, 18, 19] Figure 4. Write Cycle No. 1 (WE controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE OE t SD t H

Resumen del contenido incluido en la página 7

CY62128EV30 Switching Waveforms (continued) [10, 14, 18, 19] Figure 5. Write Cycle No. 2 (CE1 or CE2 controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t SA t t AW HA t PWE WE t t SD HD DATA IO DATA VALID [10, 19] Figure 6. Write Cycle No. 3 (WE controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE t t SD HD 20 NOTE DATA VALID DATA IO t t LZWE HZWE Table 2. Truth Table for CY62128EV30 CE CE WE OE Inputs/Outputs Mode Power 1 2 H X X X High Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB X L X X High Z De

Resumen del contenido incluido en la página 8

CY62128EV30 Ordering Information Speed Package Operating Ordering Code Package Type (ns) Diagram Range 45 CY62128EV30LL-45SXI 51-85081 32-pin 450-Mil SOIC (Pb-free) Industrial CY62128EV30LL-45ZXI 51-85056 32-pin TSOP Type I (Pb-free) CY62128EV30LL-45ZAXI 51-85094 32-pin STSOP (Pb-free) 45 CY62128EV30LL-45ZXA 51-85056 32-pin TSOP Type I (Pb-free) Automotive-A 55 CY62128EV30LL-55ZXE 51-85056 32-pin TSOP Type I (Pb-free) Automotive-E Contact your local Cypress sales representative for availability

Resumen del contenido incluido en la página 9

CY62128EV30 Package Diagrams (continued) Figure 8. 32-Pin Thin Small Outline Package Type I (8 x 20 mm), 51-85056 51-85056-*D Document #: 38-05579 Rev. *D Page 9 of 11 [+] Feedback

Resumen del contenido incluido en la página 10

CY62128EV30 Package Diagrams (continued) Figure 9. 32-Pin Shrunk Thin Small Outline Package (8 x 13.4 mm), 51-85094 51-85094-*D Document #: 38-05579 Rev. *D Page 10 of 11 [+] Feedback

Resumen del contenido incluido en la página 11

CY62128EV30 Document History Page Document Title: CY62128EV30 MoBL® 1 Mbit (128K x 8) Static RAM Document Number: 38-05579 REV. ECN NO. Issue Date Orig. of Description of Change Change ** 285473 See ECN PCI New Data Sheet *A 461631 See ECN NXR Converted from Preliminary to Final Removed 35 ns Speed Bin Removed “L” version of CY62128EV30 Removed Reverse TSOP I package from Product offering. Changed I from 8 mA to 11 mA and I from 12 mA to 16 mA for f = f CC (Typ) CC (Max) max Changed I from 1.5 m


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