Manual de instrucciones de Cypress CY62157EV18

Manual de instrucciones del aparato Cypress CY62157EV18

Aparato: Cypress CY62157EV18
Categoría: Equipamiento para ordenador
Fabricante: Cypress
Tamaño: 0.51 MB
Fecha de añadido: 4/6/2014
Número de páginas: 12
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Cypress CY62157EV18 Manual de instrucciones - Online PDF
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Resúmenes

A continuación encontrarás resúmenes de los contenidos incluidos en las páginas posteriores del manual de instrucciones para Cypress CY62157EV18. Puedes utilizarlos si quieres ver rápidamente el contenido que se encuentra en la siguientes páginas del manual.

Resúmenes de contenidos
Resumen del contenido incluido en la página 1

®
CY62157EV18 MoBL
8-Mbit (512K x 16) Static RAM
deselected (CE HIGH or CE LOW or both BHE and BLE are
Features
1 2
HIGH). The input and output pins (IO through IO ) are
0 15
• Very high speed: 55 ns
placed in a high impedance state when:
• Wide voltage range: 1.65V–2.25V
• Deselected (CE HIGH or CE LOW)
1 2
• Pin Compatible with CY62157DV18 and CY62157DV20
• Outputs are disabled (OE HIGH)
• Ultra low standby power
• Both Byte High Enable and Byte Low Enable are disabled
— Typical Standby curr

Resumen del contenido incluido en la página 2

® CY62157EV18 MoBL Logic Block Diagram DATA IN DRIVERS A 10 A 9 A 8 A 7 A 6 512K x 16 A 5 RAM Array IO –IO A 0 7 4 A 3 IO –IO 8 15 A 2 A 1 A 0 COLUMN DECODER BHE WE CE 2 CE 1 OE BLE POWER DOWN CE BHE CIRCUIT 2 CE BLE 1 [3] Pin Configuration 48-ball VFBGA Top View 126 3 4 5 A A A CE OE A BLE 0 1 2 2 IO BHE A A CE B IO 8 3 4 1 0 C IO IO A A IO IO 10 5 6 1 2 9 V IO A IO V D A SS 11 7 3 CC 17 V IO NC A IO V E CC 12 16 4 SS IO IO A A IO IO 14 F 14 13 15 5 6 IO NC A A IO WE 15 12 13 7 G A A A A A NC

Resumen del contenido incluido en la página 3

® CY62157EV18 MoBL [4, 5] Maximum Ratings DC Input Voltage ......... –0.2V to 2.45V (V + 0.2V) CCmax Output Current into Outputs (LOW) ............................ 20 mA Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the device. These user guidelines are not tested. Static Discharge Voltage ......................................... > 2001V Storage Temperature ................................ –65°C to + 150°C (in accordance with MIL-STD-883, Method 3015) Ambient Temperature with Latch-

Resumen del contenido incluido en la página 4

® CY62157EV18 MoBL [8] Thermal Resistance Parameter Description Test Conditions BGA Unit Θ Thermal Resistance Still air, soldered on a 3 × 4.5 inch, 72 °C/W JA (Junction to Ambient) two-layer printed circuit board Θ Thermal Resistance 8.86 °C/W JC (Junction to Case) AC Test Loads and Waveforms R1 ALL INPUT PULSES V CC 3V 90% OUTPUT 90% 10% 10% GND R2 30 pF Rise Time = 1 V/ns Fall Time = 1 V/ns INCLUDING JIG AND SCOPE Equivalent to: THEVENIN EQUIVALENT R TH OUTPUT V Parameters Value Unit R1 1350

Resumen del contenido incluido en la página 5

® CY62157EV18 MoBL [11, ] 12 Switching Characteristics (Over the Operating Range) 55 ns Parameter Description Unit Min Max Read Cycle t Read Cycle Time 55 ns RC t Address to Data Valid 55 ns AA t Data Hold from Address Change 10 ns OHA t CE LOW and CE HIGH to Data Valid 55 ns ACE 1 2 t OE LOW to Data Valid 25 ns DOE [13] t OE LOW to Low-Z 5ns LZOE [13, 14] t OE HIGH to High-Z 18 ns HZOE [13] t CE LOW and CE HIGH to Low-Z 10 ns LZCE 1 2 [13, 14] t CE HIGH and CE LOW to High-Z 18 ns HZCE 1 2 t

Resumen del contenido incluido en la página 6

® CY62157EV18 MoBL Switching Waveforms [17, 18] Read Cycle 1 (Address Transition Controlled) t RC RC ADDRESS t AA t OHA DATA OUT PREVIOUS DATA VALID DATA VALID [18, 19] Read Cycle 2 (OE Controlled) ADDRESS t RC CE 1 t PD t HZCE CE 2 t ACE BHE/BLE t DBE t HZBE t LZBE OE t HZOE t DOE t LZOE HIGH IMPEDANCE HIGH IMPEDANCE DATA OUT DATA VALID t LZCE t I CC PU V CC 50% 50% SUPPLY I SB CURRENT Notes: 17. The device is continuously selected. OE, CE = V , BHE and/or BLE = V , and CE = V . 1 IL IL 2 I

Resumen del contenido incluido en la página 7

® CY62157EV18 MoBL Switching Waveforms (continued) [16, 20, 21] Write Cycle 1 (WE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE 1 CE 2 t t AW HA t t SA PWE WE t BW BHE/BLE OE t HD t SD DATA IO NOTE 22 VALID DATA t HZOE [16, 20, 21] Write Cycle 2 (CE or CE Controlled) 1 2 t WC ADDRESS t SCE CE 1 CE 2 t SA t t AW HA t PWE WE t BW BHE/BLE OE t HD t SD DATA IO NOTE 22 VALID DATA t HZOE Notes: 20. Data IO is high impedance if OE = V . IH 21. If CE goes HIGH and CE goes LOW simultaneously with WE = V , the ou

Resumen del contenido incluido en la página 8

® CY62157EV18 MoBL Switching Waveforms (continued) [21] Write Cycle 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE 1 CE 2 t BW BHE/BLE t t AW HA t t SA PWE WE t t SD HD NOTE 22 DATA IO VALID DATA t LZWE t HZWE [21] Write Cycle 4 (BHE/BLE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS CE 1 CE 2 t SCE t t AW HA t BW BHE/BLE t SA t PWE WE t t SD HD DATA IO NOTE 22 VALID DATA Document #: 38-05490 Rev. *D Page 8 of 12 [+] Feedback

Resumen del contenido incluido en la página 9

® CY62157EV18 MoBL Truth Table CE CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power 1 2 H X X X X X High-Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB X L X X X X High-Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB X X X X H H High-Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB L H H L L L Data Out (IO –IO ) Read Active (I ) 0 15 CC L H H L H L Data Out (IO –IO ); Read Active (I ) 0 7 CC High-Z (IO –IO ) 8 15 L H H L L H High-Z (IO –IO ); Read Active (I ) 0 7 CC Data Out (IO –IO ) 8 15 L H H H L H High-Z Output Disabled Active

Resumen del contenido incluido en la página 10

® CY62157EV18 MoBL Package Diagrams Figure 1. 48-ball VFBGA (6 x 8 x 1 mm), 51-85150 BOTTOM VIEW TOP VIEW A1 CORNER Ø0.05 M C Ø0.25 M C A B A1 CORNER Ø0.30±0.05(48X) 1 2346 5 65 4 3 2 1 A A B B C C D D E E F F G G H H 1.875 A A 0.75 B 6.00±0.10 3.75 B 6.00±0.10 0.15(4X) SEATING PLANE C 51-85150-*D MoBL is a registered trademark, and More Battery Life is a trademark of Cypress Semiconductor. All product and company names mentioned in this document are the trademarks of their respective holders. D

Resumen del contenido incluido en la página 11

® CY62157EV18 MoBL Document History ® Document Title: CY62157EV18 MoBL 8-Mbit (512K x 16) Static RAM Document Number:38-05490 Orig. of REV. ECN NO. Issue Date Description of Change Change ** 202862 See ECN AJU New Data Sheet *A 291272 See ECN SYT Converted from Advance Information to Preliminary Changed V Max from 2.20 to 2.25 V CC Changed V stabilization time in footnote #7 from 100 µs to 200 µs CC Changed I from 4 to 4.5 µA CCDR Changed t from 6 ns to 10 ns for both 35 ns and 45 ns Speed Bin

Resumen del contenido incluido en la página 12

® CY62157EV18 MoBL ® Document Title: CY62157EV18 MoBL 8-Mbit (512K x 16) Static RAM Document Number:38-05490 Orig. of REV. ECN NO. Issue Date Description of Change Change *D 908120 See ECN VKN Added footnote #7 related to I SB2 Added footnote #12 related AC timing parameters Document #: 38-05490 Rev. *D Page 12 of 12 [+] Feedback


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