Manual de instrucciones de Cypress CY62167DV18

Manual de instrucciones del aparato Cypress CY62167DV18

Aparato: Cypress CY62167DV18
Categoría: Equipamiento para ordenador
Fabricante: Cypress
Tamaño: 0.57 MB
Fecha de añadido: 4/6/2014
Número de páginas: 11
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Resúmenes

A continuación encontrarás resúmenes de los contenidos incluidos en las páginas posteriores del manual de instrucciones para Cypress CY62167DV18. Puedes utilizarlos si quieres ver rápidamente el contenido que se encuentra en la siguientes páginas del manual.

Resúmenes de contenidos
Resumen del contenido incluido en la página 1


®
CY62167DV18 MoBL
16-Mbit (1M x 16) Static RAM
consumption by more than 99% when deselected (CE HIGH
Features
1
or CE LOW or both BHE and BLE are HIGH). The input and
2
• Very high speed: 55 ns output pins (IO through IO ) are placed in a high impedance
0 15
state when:
• Wide voltage range: 1.65V–1.95V
• Deselected (CE HIGH or CE LOW)
1 2
• Ultra low active power
• Outputs are disabled (OE HIGH)
— Typical active current: 1.5 mA @ f = 1 MHz
• Both Byte High Enable (BHE) and Byte Low Enable (

Resumen del contenido incluido en la página 2

® CY62167DV18 MoBL Product Portfolio Power Dissipation V Range (V) Operating I (mA) CC CC Speed Product Standby I (µA) SB2 (ns) f = 1MHz f = f max [2] [2] [2] [2] Min Typ Max Typ Max Typ Max Typ Max CY62167DV18LL 1.65 1.8 1.95 55 1.5 5 15 30 2.5 20 [3] Pin Configuration 48-Ball VFBGA Top View 126 3 4 5 A A A CE A BLE OE 2 0 1 2 A A B IO BHE CE IO 3 4 8 1 0 A A C IO IO IO IO 5 6 9 10 1 2 V IO V A A IO D SS 11 CC 17 7 3 V A IO V IO DNU E CC 16 4 SS 12 IO A A IO IO IO F 13 14 15 5 6 14 A A I

Resumen del contenido incluido en la página 3

® CY62167DV18 MoBL [4, 5] DC Input Voltage ........................–0.2V to V + 0.2V Maximum Ratings CCmax Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA Exceeding the maximum ratings may impair the useful life of Static Discharge Voltage.......................................... > 2001V the device. These user guidelines are not tested. (MIL-STD-883, Method 3015) Storage Temperature .................................–65°C to +150°C Latch up Current.........................

Resumen del contenido incluido en la página 4

® CY62167DV18 MoBL [7] Thermal Resistance Parameter Description Test Conditions VFBGA Unit Θ Thermal Resistance Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch, 55 °C/W JA (Junction to Ambient) two-layer printed circuit board Θ Thermal Resistance 16 °C/W JC (Junction to Case) AC Test Loads and Waveforms R1 ALL INPUT PULSES V CC V CC OUTPUT 90% 90% 10% 10% GND R2 30 pF Rise Time = 1 V/ns Fall Time = 1 V/ns INCLUDING JIG AND SCOPE Equivalent to: THE VENIN EQUIVALENT R TH OUTPUT V Parameters 1.8V Unit R1

Resumen del contenido incluido en la página 5

® CY62167DV18 MoBL [10] Switching Characteristics (Over the Operating Range) 55 ns Parameter Description Unit Min Max Read Cycle t Read Cycle Time 55 ns RC t Address to Data Valid 55 ns AA t Data Hold from Address Change 10 ns OHA t CE LOW and CE HIGH to Data Valid 55 ns ACE 1 2 t OE LOW to Data Valid 25 ns DOE [11] t OE LOW to LOW Z 5ns LZOE [11, 12] t OE HIGH to High Z 20 ns HZOE [11] t CE LOW and CE HIGH to Low Z 10 ns LZCE 1 2 [11, 12] t CE HIGH and CE LOW to High Z 20 ns HZCE 1 2 t CE

Resumen del contenido incluido en la página 6

® CY62167DV18 MoBL Switching Waveforms [14, 15] Read Cycle 1 (Address Transition Controlled) t RC RC ADDRESS t AA t OHA DATA OUT PREVIOUS DATA VALID DATA VALID [15, 16] Read Cycle 2 (OE Controlled) ADDRESS t RC CE 1 t PD t HZCE CE 2 t ACE BHE/BLE t DBE t HZBE t LZBE OE t HZOE t DOE t LZOE HIGH IMPEDANCE HIGH IMPEDANCE DATA OUT DATA VALID t LZCE I t CC PU V CC 50% 50% SUPPLY I SB CURRENT Notes 14. The device is continuously selected. OE, CE = V , BHE and/or BLE = V , and CE = V . 1 IL IL 2 IH

Resumen del contenido incluido en la página 7

® CY62167DV18 MoBL Switching Waveforms (continued) [13, 17, 18] Write Cycle 1 (WE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE 1 CE 2 t t AW HA t t SA PWE WE t BW BHE/BLE OE t HD t SD DATA IO NOTE 19 VALID DATA t HZOE [13, 17, 18] Write Cycle 2 (CE or CE Controlled) 1 2 t WC ADDRESS t SCE CE 1 CE 2 t SA t t AW HA t PWE WE t BW BHE/BLE OE t HD t SD DATA IO NOTE 19 VALID DATA t HZOE Notes 17. Data IO is high impedance if OE = V . IH 18. If CE goes HIGH and CE goes LOW simultaneously with WE = V , the outp

Resumen del contenido incluido en la página 8

® CY62167DV18 MoBL Switching Waveforms (continued) [18] Write Cycle 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE 1 CE 2 t BW BHE/BLE t t AW HA t t SA PWE WE t t SD HD DATA IO NOTE 19 VALID DATA t LZWE t HZWE [18] Write Cycle 4 (BHE/BLE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS CE 1 CE 2 t SCE t t AW HA t BW BHE/BLE t SA t PWE WE t t SD HD DATA IO NOTE 19 VALID DATA Document #: 38-05326 Rev. *C Page 8 of 11 [+] Feedback

Resumen del contenido incluido en la página 9

® CY62167DV18 MoBL Truth Table CE CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power 1 2 H X X X X X High Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB X L X X X X High Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB X X X X H H High Z Deselect/Power Down Standby (I ) SB L H H L L L Data Out (IO –IO ) Read Active (I ) 0 15 CC L H H L H L High Z (IO –IO ); Read Active (I ) 8 15 CC Data Out (IO –IO ) 0 7 L H H L L H Data Out (IO –IO ); Read Active (I ) 8 15 CC High Z (IO –IO ) 0 7 LH LX L L Data In (IO –IO ) Write Activ

Resumen del contenido incluido en la página 10

® CY62167DV18 MoBL Package Diagrams Figure 1. 48-Ball VFBGA (8 x 9.5 x 1 mm), 51-85178 BOTTOM VIEW TOP VIEW A1 CORNER Ø0.05MC Ø0.25 M C A B A1 CORNER Ø0.30±0.05(48X) 1 2346 5 65 4 3 2 1 A A B B C C D D E E F F G G H H 1.875 A A 0.75 B 8.00±0.10 3.75 B 8.00±0.10 0.15(4X) SEATING PLANE C 51-85178-** MoBL is a registered trademark, and More Battery Life is a trademark of Cypress Semiconductor. All product and company names mentioned in this document are the trademarks of their respective holders.

Resumen del contenido incluido en la página 11

® CY62167DV18 MoBL Document History Page ® Document Title: CY62167DV18 MoBL , 16-Mbit (1M x 16) Static RAM Document Number: 38-05326 Orig. of REV. ECN NO. Issue Date Description of Change Change ** 118406 09/30/02 GUG New Data Sheet *A 123690 02/11/03 DPM Changed Advance to Preliminary Added package diagram *B 126554 04/25/03 DPM Minor Change: Changed sunset owner from DPM to HRT *C 1015643 See ECN VKN Converted from preliminary to final Removed “L” parts Removed 70 ns speed bin Updated footn


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