Manual de instrucciones de Cypress CY62146DV30

Manual de instrucciones del aparato Cypress CY62146DV30

Aparato: Cypress CY62146DV30
Categoría: Equipamiento para ordenador
Fabricante: Cypress
Tamaño: 0.45 MB
Fecha de añadido: 4/6/2014
Número de páginas: 11
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Resúmenes

A continuación encontrarás resúmenes de los contenidos incluidos en las páginas posteriores del manual de instrucciones para Cypress CY62146DV30. Puedes utilizarlos si quieres ver rápidamente el contenido que se encuentra en la siguientes páginas del manual.

Resúmenes de contenidos
Resumen del contenido incluido en la página 1


CY62146DV30
4-Mbit (256K x 16) Static RAM
an automatic power-down feature that significantly reduces
Features
power consumption. The device can also be put into standby
• Very high speed: 45 ns mode reducing power consumption by more than 99% when
deselected (CE HIGH). The input/output pins (I/O through
0
• Wide voltage range: 2.20V–3.60V
I/O ) are placed in a high-impedance state when: deselected
15
• Pin-compatible with CY62146CV30
(CE HIGH), outputs are disabled (OE HIGH), both Byte High
En

Resumen del contenido incluido en la página 2

CY62146DV30 [2, 3, 4] Pin Configuration VFBGA (Top View) 44 TSOP II (Top View) 1 2 3 4 5 6 44 1 A A 4 5 A A OE A NC A 2 43 A BLE 0 1 2 A 3 6 3 42 A A 2 7 4 41 A OE 1 A A I/O BHE CE I/O B 4 8 3 0 40 A 5 BHE 0 39 6 CE BLE 38 I/O A A C 7 I/O I/O I/O I/O I/O 0 15 9 10 5 6 1 2 37 I/O 8 I/O 1 14 36 I/O 9 I/O 2 13 Vcc V A I/O A I/O SS 7 D 35 11 17 3 I/O 10 I/O 3 12 34 V V 11 CC SS 33 Vss V 12 V V DNU A SS CC I/O I/O E CC 16 12 4 I/O 13 32 I/O 4 11 31 I/O I/O 5 14 10 A A F I/O I/O I/O I/O I/O 30 15

Resumen del contenido incluido en la página 3

CY62146DV30 [6, 7] DC Input Voltage .....................–0.3V to V + 0.3V Maximum Ratings CC(MAX) Output Current into Outputs (LOW)............................. 20 mA (Above which the useful life may be impaired. For user guide- Static Discharge Voltage........................................... >2001V lines, not tested.) (per MIL-STD-883, Method 3015) Storage Temperature .................................–65°C to +150°C Latch-up Current...................................................... >2

Resumen del contenido incluido en la página 4

CY62146DV30 [9] Capacitance (for all packages) Parameter Description Test Conditions Max. Unit C Input Capacitance T = 25°C, f = 1 MHz, 10 pF IN A V = V CC CC(typ) C Output Capacitance 10 pF OUT [9] Thermal Resistance Parameter Description Test Conditions BGA TSOP II Unit Θ Thermal Resistance Still Air, soldered on a 3 × 4.5 inch, four-layer 72 75.13 °C/W JA (Junction to Ambient) printed circuit board Θ Thermal Resistance 8.86 8.95 °C/W JC (Junction to Case) [10] AC Test Loads and Waveforms R1

Resumen del contenido incluido en la página 5

CY62146DV30 [12] Switching Characteristics Over the Operating Range [10] 45 ns 55 ns 70 ns Parameter Description Min. Max. Min. Max. Min. Max. Unit Read Cycle t Read Cycle Time 45 55 70 ns RC t Address to Data Valid 45 55 70 ns AA t Data Hold from Address Change 10 10 10 ns OHA t CE LOW to Data Valid 45 55 70 ns ACE t OE LOW to Data Valid 25 25 35 ns DOE [13] t OE LOW to LOW Z 55 5 ns LZOE [13, 14] t OE HIGH to High Z 15 20 25 ns HZOE [13] t CE LOW to Low Z 10 10 10 ns LZCE [13, 14] t CE HIGH

Resumen del contenido incluido en la página 6

CY62146DV30 Switching Waveforms [16, 17] Read Cycle 1 (Address Transition Controlled) t RC ADDRESS t AA t OHA DATA OUT PREVIOUS DATA VALID DATA VALID [17, 18] Read Cycle No. 2 (OE Controlled) ADDRESS t RC CE t PD t t HZCE ACE OE t HZOE t DOE BHE/BLE t LZOE t HZBE t DBE t LZBE HIGH IMPEDANCE HIGH IMPEDANCE DATA OUT DATA VALID t LZCE t PU V I CC CC SUPPLY 50% 50% CURRENT I SB Notes: 16. The device is continuously selected. OE, CE = V , BHE and/or BLE = V . IL IL 17. WE is HIGH for read cycle.

Resumen del contenido incluido en la página 7

CY62146DV30 Switching Waveforms (continued) [15, 19, 20] Write Cycle No. 1 (WE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t t AW HA t t SA PWE WE t BW BHE/BLE OE t SD t HD DATA I/O NOTE 21 DATA IN t HZOE [15, 19, 20] Write Cycle No. 2 (CE Controlled) t WC ADDRESS t SCE CE t SA t t AW HA t PWE WE t BW BHE/BLE OE t SD t HD DATA I/O DATA IN NOTE 21 t HZOE Notes: 19. Data I/O is high impedance if OE = V . IH 20. If CE goes HIGH simultaneously with WE = V , the output remains in a high-impedance state. I

Resumen del contenido incluido en la página 8

CY62146DV30 Switching Waveforms (continued) [20] Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS t SCE CE t BW BHE/BLE t t AW HA t t SA PWE WE t HD t SD NOTE 21 DATAI/O DATA IN t HZWE t LZWE [20] Write Cycle No. 4 (BHE/BLE Controlled, OE LOW) t WC ADDRESS CE t SCE t t AW HA t BW BHE/BLE t SA t PWE WE t HZWE t t HD SD DATA I/O DATA NOTE 21 IN t LZWE Document #: 38-05339 Rev. *A Page 8 of 11 [+] Feedback

Resumen del contenido incluido en la página 9

CY62146DV30 Truth Table CE WE OE BHE BLE Inputs/Outputs Mode Power H X X X X High Z Deselect/Power-Down Standby (I ) SB L X X H H High Z Output Disabled Active (I ) CC L H L L L Data Out (I/O –I/O ) Read Active (I ) O 15 CC L H L H L Data Out (I/O –I/O ); Read Active (I ) O 7 CC I/O –I/O in High Z 8 15 L H L L H Data Out (I/O –I/O ); Read Active (I ) 8 15 CC I/O –I/O in High Z 0 7 L H H L L High Z Output Disabled Active (I ) CC L H H H L High Z Output Disabled Active (I ) CC L H H L H High Z

Resumen del contenido incluido en la página 10

CY62146DV30 Package Diagram 48-Lead VFBGA (6 x 8 x 1 mm) BV48A 51-85150-*B 44-Pin TSOP II ZS44 51-85087-*A MoBL is a registered trademark, and More Battery Life is a trademark, of Cypress Semiconductor. All product and company names mentioned in this document may be the trademarks of their respective holders. Document #: 38-05339 Rev. *A Page 10 of 11 © Cypress Semiconductor Corporation, 2005. The information contained herein is subject to change without notice. Cypress Semiconductor Corpor

Resumen del contenido incluido en la página 11

CY62146DV30 Document History Page ® Document Title:CY62146DV30 MoBL 4-Mbit (256K x 16) Static RAM Document Number: 38-05339 Orig. of REV. ECN NO. Issue Date Change Description of Change ** 213251 See ECN AJU New Data Sheet *A 316039 See ECN PCI Added 45-ns Speed Bin in AC, DC and Ordering Information tables Added Footnote #10 on page #4 Added Pb-free package ordering information on page # 9 Changed 44-lead TSOP-II package name on page 10 from Z44 to ZS44 Standardized Icc values across ‘L’ and


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