Bedienungsanleitung NXP Semiconductors SiGeC BFU725F

Gerät: NXP Semiconductors SiGeC BFU725F

Kategorie: Mikrowelle

Produzent: NXP Semiconductors

Größe: 0.18 MB

Datum des Hinzufügens: 9/28/2013

Seitenanzahl: 2

Wie kann man es nutzen?

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NXP Semiconductors SiGeC BFU725F Handbuch - Online PDF

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Zusammenfassungen

Unten finden Sie Trailer des Inhalts, der sich auf den nächsten Anleitungsseiten zu NXP Semiconductors SiGeC BFU725F befindet. Wenn Sie den Seiteninhalt der nächsten Seiten schnell durchschauen möchten, können Sie sie nutzen.

Inhaltszusammenfassungen

Inhaltszusammenfassung zur Seite Nr. 1

SiGeC microwave NPN
transistor BFU725F
A perfect match up to 20 GHz
Meet the trend towards higher frequencies. With NXP Semiconductors’ latest SiGeC microwave
NPN transistor BFU725F, you get high switching frequencies plus extremely high gain and low noise.
All this in an easy-to-use SOT343F package. It’s the ideal solution for applications up to 20 GHz.
Key features
Ñ Very low noise (0.4 dB at 1.8 GHz / 0.67 dB at 5.8 GHz) The NPN microwave transistor BFU725F delivers an unbeatable
Ñ Hig

Inhaltszusammenfassung zur Seite Nr. 2

Parameter Symbol Conditions Value Collector-emitter breakdown BV I = 1 mA; I = 0 3.2 V CEO C B voltage Maximum collector current I 40 mA C(max) Transition frequency f V = 2 V; I = 25 mA; f = 2 GHz 68 GHz T CE C V = 2 V; I = 5 mA; f = 1.8 GHz; Γ = Γ 0.4 dB CE C s opt V = 2 V; I = 5 mA; f = 2.4 GHz; Γ = Γ 0.45 dB CE C s opt Noise figure NF V = 2 V; I = 5 mA; f = 5.8 GHz; Γ = Γ 0.7 dB CE C s opt V = 2 V; I = 5 mA; f = 12 GHz; Γ = Γ 1.0 dB CE C s opt V = 2 V; I = 25 mA; f = 1.8 GHz 26.6 dB CE C

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